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深圳市佳斯泰科技有限公司
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联系人：廖女士
电话：13410012158
地址：广东省深圳市福田区华强北上航大厦西座四层
5000
ST
SMD.5; TO-257; TO-39
10+
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2N5153HR 技术参数

2N5152L 功能描述:NPN SILICON TRANSISTOR 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件状态:在售标准包装:1 2N5152 功能描述:NPN SILICON TRANSISTOR 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件状态:在售标准包装:1 2N5151L 功能描述:NPN SILICON TRANSISTOR 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件状态:在售标准包装:1 2N5151 功能描述:NPN SILICON TRANSISTOR 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件状态:在售标准包装:1 2N5116UB 功能描述:JFET P-Channel 30V 25mA @ 15V 500mW Surface Mount UB 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500 包装:散装零件状态:在售 FET 类型:P 沟道电压 - 击穿（V（BR）GSS）:30V 漏源极电压（Vdss）:30V 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）:25mA @ 15V 漏极电流（Id） - 最大值:- 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）:4V @ 1nA 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:27pF @ 15V 电阻 - RDS（开）:175 欧姆功率 - 最大值:500mW 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:3-SMD，无引线供应商器件封装:UB 标准包装:1 2N5190G 2N5191 2N5191G 2N5192 2N5192 SL H 2N5192G 2N5192R 2N5193 2N5194 2N5194G 2N5195 2N5195 SL H 2N5195G 2N5204 2N5209 2N5210 2N5210_D81Z 2N5210_J05Z