2N5194G.

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深圳市毅创辉电子科技有限公司
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深圳市华芯盛世科技有限公司
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制造商
ON Semiconductor
功能描述
RF Bipolar Transistor

2N5194G. 技术参数

2N5194G 功能描述:TRANS PNP 60V 4A TO225AA 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:有效晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:4A 电压 - 集射极击穿（最大值）:60V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1.4V @ 1A，4A 电流 - 集电极截止（最大值）:1mA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:25 @ 1.5A，2V 功率 - 最大值:40W 频率 - 跃迁:2MHz 安装类型:通孔封装/外壳:TO-225AA，TO-126-3 供应商器件封装:TO-225AA 标准包装:500 2N5194 功能描述:PWR TRANSISTOR GP TH 制造商:central semiconductor corp 系列:* 零件状态:生命周期结束标准包装:1,000 2N5193 功能描述:PWR TRANSISTOR GP TH 制造商:central semiconductor corp 系列:* 零件状态:生命周期结束标准包装:1,000 2N5192R 功能描述:PWR TRANSISTOR GP TH TO126 制造商:central semiconductor corp 系列:* 零件状态:生命周期结束标准包装:1,000 2N5192G 功能描述:TRANS NPN 80V 4A TO225AA 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:有效晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:4A 电压 - 集射极击穿（最大值）:80V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1.4V @ 1A，4A 电流 - 集电极截止（最大值）:1mA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:20 @ 1.5A，2V 功率 - 最大值:40W 频率 - 跃迁:2MHz 安装类型:通孔封装/外壳:TO-225AA，TO-126-3 供应商器件封装:TO-225AA 标准包装:500 2N5210BU 2N5210NMBU 2N5210TA 2N5210TAR 2N5210TF 2N5210TFR 2N5224 2N5226 2N5232A 2N5237 2N5238 2N5238S 2N5240 2N5241 2N5245 2N5245_J35Z 2N5245_L99Z 2N5246