2N5210_D75Z

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功能描述
两极晶体管 - BJT
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
配置
晶体管极性
PNP
集电极—基极电压 VCBO
集电极—发射极最大电压 VCEO
- 40 V
发射极 - 基极电压 VEBO
- 6 V
集电极—射极饱和电压
最大直流电集电极电流
增益带宽产品fT
直流集电极/Base Gain hfe Min
100 A
最大工作温度
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerFLAT 2 x 2

2N5210_D75Z 技术参数

2N5210 功能描述:TRANS NPN 50V 0.05A TO-92 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:散装零件状态:有效晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:50mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:700mV @ 1mA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:200 @ 100μA，5V 功率 - 最大值:350mW 频率 - 跃迁:30MHz 安装类型:通孔封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）供应商器件封装:TO-92 标准包装:2,500 2N5209 功能描述:TRANS NPN 50V 0.05A TO-92 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:散装零件状态:有效晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:50mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:700mV @ 1mA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:100 @ 100μA，5V 功率 - 最大值:350mW 频率 - 跃迁:30MHz 安装类型:通孔封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）供应商器件封装:TO-92 标准包装:2,500 2N5204 功能描述:SCR PHASE CONT 600V 35A TO-48 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包装:散装零件状态:有效电压 - 断态:600V 电压 - 栅极触发（Vgt）（最大值）:2V 电流 - 栅极触发（Igt）（最大值）:40mA 电压 - 通态（Vtm）（最大值）:2.3V 电流 - 通态（It（AV））（最大值）:22A 电流 - 通态（It（RMS））（最大值）:35A 电流 - 保持（Ih）（最大值）:200mA 电流 - 断态（最大值）:3.3mA 电流 - 不重复浪涌 50，60Hz（Itsm）:285A，300A SCR 类型:标准恢复型工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:底座，接线柱安装封装/外壳:TO-208AA，TO-48-3，接线柱供应商器件封装:TO-208AA（TO-48）标准包装:100 2N5195G 功能描述:TRANS PNP 80V 4A TO225AA 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:有效晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:4A 电压 - 集射极击穿（最大值）:80V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1.4V @ 1A，4A 电流 - 集电极截止（最大值）:1mA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:20 @ 1.5A，2V 功率 - 最大值:40W 频率 - 跃迁:2MHz 安装类型:通孔封装/外壳:TO-225AA，TO-126-3 供应商器件封装:TO-225AA 标准包装:500 2N5195 SL H 功能描述:PWR TRANSISTOR GP TH 制造商:central semiconductor corp 系列:* 零件状态:新产品标准包装:50 2N5224 2N5226 2N5232A 2N5237 2N5238 2N5238S 2N5240 2N5241 2N5245 2N5245_J35Z 2N5245_L99Z 2N5246 2N5246_D74Z 2N5246_J35Z 2N5247 2N5247_J35Z 2N5301 2N5302