2N5550RLRPG全国供应商 2N5550RLRPG资料|PDF Datasheet|价格【ON 安森美半导体】

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操作

2N5550RLRPG
深圳市煌盛达科技有限公司
深圳市煌盛达科技有限公司
联系人：贺小姐
电话：18948314511
地址：平湖华南城华利嘉
资质：营业执照
12000
ON SEMICONDUCTOR
原厂原封装
20+
-
原装库存，全新进口，可电13689551...

2N5550RLRPG
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162106431621048916210479162104578
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
5000
ONS
NULL
09/10+
-
假一罚十，百分百原装正品

2N5550RLRPG
深圳市铭昌源科技有限公司
深圳市铭昌源科技有限公司
联系人：优质现货代理商
电话：0755-82774613邓先生（13480915249）微信同步0755-82774613邓先生
地址：深圳市福田区工发路上步管理大厦501栋501室
资质：营业执照
50778
ON Semiconductor
SMD
22+
-
优势代理，公司现货可开票

2N5550RLRPG
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：朱先生/李小姐
电话：0755-2394163213723794312（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。
8650000
ON
TO-92
最新批号
-
一级代理.原装特价现货！

2N5550RLRPG
深圳市一线半导体有限公司
深圳市一线半导体有限公司
联系人：谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐
电话：0755-8378920313332987005
地址：深圳市福田区华强北华强花园B9F
69200
ON
TO-92
18+
-
全新原装，优势库存

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功能描述
两极晶体管 - BJT 600mA 160V NPN
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
配置
晶体管极性
PNP
集电极—基极电压 VCBO
集电极—发射极最大电压 VCEO
- 40 V
发射极 - 基极电压 VEBO
- 6 V
集电极—射极饱和电压
最大直流电集电极电流
增益带宽产品fT
直流集电极/Base Gain hfe Min
100 A
最大工作温度
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerFLAT 2 x 2

2N5550RLRPG 技术参数

2N5550RLRP 功能描述:TRANS NPN 140V 0.6A TO-92 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带盒（TB）零件状态:过期晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:600mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:140V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:60 @ 10mA，5V 功率 - 最大值:625mW 频率 - 跃迁:300MHz 安装类型:通孔封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）供应商器件封装:TO-92-3 标准包装:2,000 2N5550RLRAG 功能描述:TRANS NPN 140V 0.6A TO-92 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:600mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:140V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:60 @ 10mA，5V 功率 - 最大值:625mW 频率 - 跃迁:300MHz 安装类型:通孔封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）供应商器件封装:TO-92-3 标准包装:2,000 2N5550RLRA 功能描述:TRANS NPN 140V 0.6A TO-92 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:600mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:140V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:60 @ 10mA，5V 功率 - 最大值:625mW 频率 - 跃迁:300MHz 安装类型:通孔封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）供应商器件封装:TO-92-3 标准包装:2,000 2N5550G 功能描述:TRANS NPN 140V 0.6A TO92 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:过期晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:600mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:140V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:60 @ 10mA，5V 功率 - 最大值:625mW 频率 - 跃迁:300MHz 安装类型:通孔封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）供应商器件封装:TO-92-3 标准包装:5,000 2N5550BU 功能描述:TRANS NPN 140V 0.6A TO-92 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:过期晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:600mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:140V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:60 @ 10mA，5V 功率 - 最大值:625mW 频率 - 跃迁:300MHz 安装类型:通孔封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）供应商器件封装:TO-92-3 标准包装:1,000 2N5551_J61Z 2N5551BU 2N5551CBU 2N5551CTA 2N5551CYTA 2N5551G 2N5551RL1 2N5551RL1G 2N5551RLRA 2N5551RLRAG 2N5551RLRM 2N5551RLRMG 2N5551RLRP 2N5551RLRPG 2N5551TA 2N5551TAR 2N5551TF 2N5551TFR