2N5652A

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2N5652A 技术参数

2N5639RLRAG 功能描述:JFET N-CH 35V 0.31W TO92 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期 FET 类型:N 沟道电压 - 击穿（V（BR）GSS）:35V 漏源极电压（Vdss）:30V 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）:25mA @ 20V 漏极电流（Id） - 最大值:- 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:10pF @ 12V（VGS）电阻 - RDS（开）:60 欧姆安装类型:通孔封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）供应商器件封装:TO-92-3 功率 - 最大值:310mW 标准包装:1,000 2N5639G 功能描述:JFET N-CH 35V 0.31W TO92 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:过期 FET 类型:N 沟道电压 - 击穿（V（BR）GSS）:35V 漏源极电压（Vdss）:30V 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）:25mA @ 20V 漏极电流（Id） - 最大值:- 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:10pF @ 12V（VGS）电阻 - RDS（开）:60 欧姆安装类型:通孔封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）供应商器件封装:TO-92-3 功率 - 最大值:310mW 标准包装:1,000 2N5639_D75Z 功能描述:JFET N-CH 30V 0.35W TO92 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:带盒（TB）零件状态:过期 FET 类型:N 沟道电压 - 击穿（V（BR）GSS）:30V 漏源极电压（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）:25mA @ 20V 漏极电流（Id） - 最大值:- 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:10pF @ 12V（VGS）电阻 - RDS（开）:60 欧姆安装类型:通孔封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）供应商器件封装:TO-92-3 功率 - 最大值:350mW 标准包装:2,000 2N5639_D26Z 功能描述:JFET N-CH 30V 0.35W TO92 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期 FET 类型:N 沟道电压 - 击穿（V（BR）GSS）:30V 漏源极电压（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）:25mA @ 20V 漏极电流（Id） - 最大值:- 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:10pF @ 12V（VGS）电阻 - RDS（开）:60 欧姆安装类型:通孔封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）供应商器件封装:TO-92-3 功率 - 最大值:350mW 标准包装:2,000 2N5639 功能描述:JFET N-CH 30V 0.35W TO92 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:过期 FET 类型:N 沟道电压 - 击穿（V（BR）GSS）:30V 漏源极电压（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）:25mA @ 20V 漏极电流（Id） - 最大值:- 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:10pF @ 12V（VGS）电阻 - RDS（开）:60 欧姆安装类型:通孔封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）供应商器件封装:TO-92-3 功率 - 最大值:350mW 标准包装:2,000 2N5665 2N5666 2N5671 2N5679 2N5680 2N5681 2N5682 2N5683 2N5684 2N5684G 2N5685 2N5686 2N5686G 2N5769 2N5770 2N5770_D26Z 2N5770_D27Z 2N5770_D74Z