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2N6389

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  • 深圳市时兴宇电子有限公司
    深圳市时兴宇电子有限公司

    联系人:彭先生

    电话:0755-830415598397218513430523058

    地址:深圳市福田区华强北都会大厦A座19楼19G

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  • 绝对公司原装现货

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  • 北京首天伟业科技有限公司
    北京首天伟业科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-6256544762566447

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1010室

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  • 原装正品,假一罚十

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  • 北京元坤伟业科技有限公司
    北京元坤伟业科技有限公司

    联系人:刘先生

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2N6389 技术参数
  • 2N6388G 功能描述:TRANS NPN DARL 80V 10A TO220AB 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 晶体管类型:NPN - 达林顿 电流 - 集电极(Ic)(最大值):10A 电压 - 集射极击穿(最大值):80V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):3V @ 100mA,10A 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):1000 @ 5A,3V 功率 - 最大值:2W 频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220AB 标准包装:50 2N6388 功能描述:TRANS NPN DARL 80V 10A TO220 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:盒 零件状态:在售 晶体管类型:NPN - 达林顿 电流 - 集电极(Ic)(最大值):10A 电压 - 集射极击穿(最大值):80V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):- 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):- 功率 - 最大值:65W 频率 - 跃迁:20MHz 工作温度:- 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220 标准包装:400 2N6387G 功能描述:TRANS NPN DARL 60V 10A TO220AB 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 晶体管类型:NPN - 达林顿 电流 - 集电极(Ic)(最大值):10A 电压 - 集射极击穿(最大值):60V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):3V @ 100mA,10A 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):1000 @ 5A,3V 功率 - 最大值:2W 频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220AB 标准包装:50 2N6387 功能描述:TRANS NPN DARL 60V 10A TO220AB 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:管件 零件状态:过期 晶体管类型:NPN - 达林顿 电流 - 集电极(Ic)(最大值):10A 电压 - 集射极击穿(最大值):60V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):3V @ 100mA,10A 电流 - 集电极截止(最大值):1mA 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):1000 @ 5A,3V 功率 - 最大值:2W 频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220AB 标准包装:50 2N6384 功能描述:NPN TRANSISTOR 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件状态:在售 标准包装:1 2N6400G 2N6401 2N6401G 2N6402G 2N6403G 2N6403TG 2N6404G 2N6405G 2N6426 2N6426_D26Z 2N6426_D74Z 2N6426G 2N6426RLRA 2N6426RLRAG 2N6427 2N6427_D26Z 2N6427_D27Z 2N6427_D75Z
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