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2N6660JTX02

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    2N6660JTX02

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  • 上海鑫科润电子科技有限公司
    上海鑫科润电子科技有限公司

    联系人:鑫科润

    电话:185210072361851602286718516022897

    地址:上海徐汇区中山南二路1007号

  • 50000

  • Vishay Siliconix

  • TO-205AF

  • 17+

  • -
  • 全新原装现货

  • 2N6660JTX02
    2N6660JTX02

    2N6660JTX02

  • 深圳市深美诺电子科技有限公司
    深圳市深美诺电子科技有限公司

    联系人:李燕兵

    电话:82525918

    地址:深圳市福田区华强北路上步工业区101栋5楼517-532室

    资质:营业执照

  • 6000

  • VIS/SIL

  • TO205

  • 22+

  • -
  • 全新原装现货供应

  • 1/1页 40条/页 共9条 
  • 1
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  • 制造商
  • Vishay Angstrohm
  • 功能描述
  • Trans MOSFET N-CH 60V 0.99A 3-Pin TO-205AD
  • 制造商
  • Vishay Siliconix
  • 功能描述
  • TRANS MOSFET N-CH 60V 0.99A 3PIN TO-205AD - Bulk
  • 制造商
  • Vishay Intertechnologies
  • 功能描述
  • 2N6660 Series N-Channel 60 V 3 Ohm Through Hole HEXFET Power Mosfet - TO-205AD
2N6660JTX02 技术参数
  • 2N6660JTVP02 功能描述:MOSFET N-CH 60V 0.99A TO-205 制造商:vishay siliconix 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):990mA(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):3 欧姆 @ 1A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):- 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):50pF @ 25V 功率 - 最大值:725mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-205AD,TO-39-3 金属罐 供应商器件封装:TO-205AF(TO-39) 标准包装:20 2N6660-E3 功能描述:MOSFET N-CH 60V 990MA TO-205 制造商:vishay siliconix 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):990mA(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):3 欧姆 @ 1A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):- 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):50pF @ 25V 功率 - 最大值:725mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-205AD,TO-39-3 金属罐 供应商器件封装:TO-205AF(TO-39) 标准包装:100 2N6660-2 功能描述:MOSFET N-CH 60V 0.99A TO-205 制造商:vishay siliconix 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):990mA(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):3 欧姆 @ 1A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):- 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):50pF @ 25V 功率 - 最大值:725mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-205AD,TO-39-3 金属罐 供应商器件封装:TO-205AF(TO-39) 标准包装:20 2N6660 功能描述:MOSFET N-CH 60V 0.41A TO39-3 制造商:microchip technology 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):410mA(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):3 欧姆 @ 1A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):- 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):50pF @ 24V 功率 - 最大值:6.25W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-205AD,TO-39-3 金属罐 供应商器件封装:TO-39 标准包装:500 2N6650 功能描述:PNP TRANSISTOR 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件状态:在售 标准包装:1 2N6661JTXL02 2N6661JTXP02 2N6661JTXV02 2N6667 2N6667G 2N6668 2N6671 2N6672 2N6673 2N6674 2N6675 2N6676 2N6677 2N6678 2N6678T1 2N6714 2N6715 2N6719
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