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2N7002K-T1-E3(7KXBG)

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  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人:朱先生/李小姐

    电话:0755-2394163213723794312(微信同号)

    地址:广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。

  • 8650000

  • VISHAY

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  • 深圳市泽芯微科技有限公司
    深圳市泽芯微科技有限公司

    联系人:柯小姐

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  • sot23-3

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2N7002K-T1-E3(7KXBG) 技术参数
  • 2N7002K-T1-E3 功能描述:MOSFET N-CH 60V 300MA SOT-23 制造商:vishay siliconix 系列:TrenchFET? 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):300mA(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):2 欧姆 @ 500mA,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):0.6nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):30pF @ 25V 功率 - 最大值:350mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3(TO-236) 标准包装:1 2N7002K-7 功能描述:MOSFET N-CH 60V 0.38A SOT23-3 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):380mA(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):2 欧姆 @ 500mA,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):0.3nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):50pF @ 25V 功率 - 最大值:370mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3 标准包装:1 2N7002K,215 功能描述:MOSFET N-CH 60V 340MA SOT23 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):340mA(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):3.9 欧姆 @ 500mA,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):- 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):40pF @ 10V 功率 - 最大值:830mW 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23(TO-236AB) 标准包装:1 2N7002K 功能描述:MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):300mA(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):2 欧姆 @ 500mA,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):- 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):50pF @ 25V 功率 - 最大值:350mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23(TO-236AB) 标准包装:1 2N7002-HF 功能描述:MOSFET N-CH 60V 0.25A SOT23 制造商:comchip technology 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):250mA(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):3 欧姆 @ 250mA,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):1nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):25pF @ 25V 功率 - 最大值:350mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23 标准包装:1 2N7002LT3G 2N7002MTF 2N7002P,215 2N7002P,235 2N7002PM,315 2N7002PS,115 2N7002PS,125 2N7002PS/ZLH 2N7002PS/ZLX 2N7002PT,115 2N7002PV,115 2N7002PW,115 2N7002T 2N7002T,215 2N7002-T1-E3 2N7002-T1-GE3 2N7002T-7 2N7002T-7-F
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