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2N7004

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  • 2N7004BEAR7712
    2N7004BEAR7712

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  • 深圳市悦兴晨电子科技有限公司
    深圳市悦兴晨电子科技有限公司

    联系人:朱先生

    电话:0755-8281200482811605

    地址:深圳市福田区上步工业区405栋607室 柜台号新亚洲二期N2B227

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  • 深圳廊盛科技有限公司
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  • 20000

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  • 原装正品 欢迎咨询

  • 2N7004
    2N7004

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  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人:朱先生/李小姐

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  • 865000

  • SILICONIX

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  • 2N7004
    2N7004

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  • 深圳市雄盛鑫电子有限公司
    深圳市雄盛鑫电子有限公司

    联系人:黄莉莉 15986606941

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  • 2601

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  • 制造商
  • Vishay Siliconix
  • 功能描述
  • NMOS TO250 100V .6R - Bulk
2N7004 技术参数
  • 2N7002W-TP 功能描述:MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-323 制造商:micro commercial co 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):115mA(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):7.5 欧姆 @ 50mA,5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):- 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):50pF @ 25V 功率 - 最大值:200mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-70,SOT-323 供应商器件封装:SOT-323 标准包装:1 2N7002WT3G 功能描述:MOSFET N-CH 60V 0.31A SOT-323 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):310mA(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):1.6 欧姆 @ 500mA,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):0.7nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):24.5pF @ 20V 功率 - 最大值:280mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-70,SOT-323 供应商器件封装:SC-70-3(SOT323) 标准包装:10,000 2N7002WT1G 功能描述:MOSFET N-CH 60V 310MA SOT323 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):310mA(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):1.6 欧姆 @ 500mA,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):0.7nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):24.5pF @ 20V 功率 - 最大值:280mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-70,SOT-323 供应商器件封装:SC-70-3(SOT323) 标准包装:1 2N7002WST1G 功能描述:MOSFET N-CH 60V 0.115A SC70 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:过期 FET 类型:- FET 功能:- 漏源极电压(Vdss):- 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):- 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):- 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):- 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):- 功率 - 最大值:- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-70,SOT-323 供应商器件封装:SC-70-3(SOT323) 标准包装:3,000 2N7002W-7-F 功能描述:MOSFET N-CH 60V 115MA SOT323 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):115mA(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):7.5 欧姆 @ 50mA,5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):- 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):50pF @ 25V 功率 - 最大值:200mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-70,SOT-323 供应商器件封装:SOT-323 标准包装:1 2N7053_D75Z 2N706 2N708 2N720A 2N7224 2N7224U 2N7225 2N7225U 2N7227 2N7227U 2N7228 2N7228U 2N7236 2N7236U 2N7334 2N7335 2N7635-GA 2N7636-GA
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