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2N7052_Q

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  • 功能描述
  • 达林顿晶体管 NPN Transistor Darlington
  • RoHS
  • 制造商
  • Texas Instruments
  • 配置
  • Octal
  • 晶体管极性
  • NPN
  • 集电极—发射极最大电压 VCEO
  • 50 V
  • 发射极 - 基极电压 VEBO
  • 集电极—基极电压 VCBO
  • 最大直流电集电极电流
  • 0.5 A
  • 最大集电极截止电流
  • 功率耗散
  • 最大工作温度
  • + 150 C
  • 安装风格
  • SMD/SMT
  • 封装 / 箱体
  • SOIC-18
  • 封装
  • Reel
2N7052_Q 技术参数
  • 2N7052_D74Z 功能描述:TRANS NPN DARL 100V 1.5A TO-92 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:带盒(TB) 零件状态:过期 晶体管类型:NPN - 达林顿 电流 - 集电极(Ic)(最大值):1.5A 电压 - 集射极击穿(最大值):100V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):1.5V @ 100μA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):200nA 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):1000 @ 1A,5V 功率 - 最大值:625mW 频率 - 跃迁:200MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线) 供应商器件封装:TO-92-3 标准包装:2,000 2N7052 功能描述:TRANS NPN DARL 100V 1.5A TO-92 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:散装 零件状态:过期 晶体管类型:NPN - 达林顿 电流 - 集电极(Ic)(最大值):1.5A 电压 - 集射极击穿(最大值):100V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):1.5V @ 100μA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):200nA 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):1000 @ 1A,5V 功率 - 最大值:625mW 频率 - 跃迁:200MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA) 供应商器件封装:TO-92-3 标准包装:2,000 2N7051_D10Z 功能描述:TRANS NPN DARL 100V 1.5A TO-92 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:过期 晶体管类型:NPN - 达林顿 电流 - 集电极(Ic)(最大值):1.5A 电压 - 集射极击穿(最大值):100V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):1.5V @ 100μA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):200nA 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):1000 @ 1A,5V 功率 - 最大值:625mW 频率 - 跃迁:200MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线) 供应商器件封装:TO-92-3 标准包装:2,000 2N7051 功能描述:TRANS NPN DARL 100V 1.5A TO-92 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:散装 零件状态:过期 晶体管类型:NPN - 达林顿 电流 - 集电极(Ic)(最大值):1.5A 电压 - 集射极击穿(最大值):100V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):1.5V @ 100μA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):200nA 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):1000 @ 1A,5V 功率 - 最大值:625mW 频率 - 跃迁:200MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA) 供应商器件封装:TO-92-3 标准包装:2,000 2N7008-G 功能描述:MOSFET N-CH 60V 0.23A TO92-3 制造商:microchip technology 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):230mA(Tj) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):7.5 欧姆 @ 500mA,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):- 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):50pF @ 25V 功率 - 最大值:1W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA) 供应商器件封装:TO-92-3 标准包装:1,000 2N7225 2N7225U 2N7227 2N7227U 2N7228 2N7228U 2N7236 2N7236U 2N7334 2N7335 2N7635-GA 2N7636-GA 2N7637-GA 2N7638-GA 2N7639-GA 2N7640-GA 2N915 2N918
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