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2N7336

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  • 2N7336
    2N7336

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  • 深圳市英科美电子有限公司
    深圳市英科美电子有限公司

    联系人:张先生

    电话:0755-23903058

    地址:深圳市福田区振兴路西101号华匀大厦1栋7F

  • 3000

  • IR

  • CDIP

  • 22+

  • -
  • 每一片都来自原厂,正品保证

  • 2N7336JANTX
    2N7336JANTX

    2N7336JANTX

  • 深圳市悦兴晨电子科技有限公司
    深圳市悦兴晨电子科技有限公司

    联系人:朱先生

    电话:0755-8281200482811605

    地址:深圳市福田区上步工业区405栋607室 柜台号新亚洲二期N2B227

  • 15600

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  • 原厂原封装

  • 2023+

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  • 全新原装 部分发货3-5天

  • 2N7336
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  • 深圳市安博威科技有限公司
    深圳市安博威科技有限公司

    联系人:

    电话:18320850923

    地址:深圳市福田区华强北路赛格广场1713室

  • 2

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  • 绝对自己现货深圳交易

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  • 制造商
  • SAMES
  • 制造商全称
  • SAMES
  • 功能描述
  • 14 LEAD DUAL IN LINE QUAD N & P CHANNEL POWER MOSFETS
2N7336 技术参数
  • 2N7335 功能描述:MOSFET 4P-CH 100V 0.75A MO-036AB 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:过期 FET 类型:4 个 P 通道 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):100V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):750mA 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):1.4 欧姆 @ 500mA,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):- 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):- 功率 - 最大值:1.4W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:14-DIP(0.300",7.62mm) 供应商器件封装:MO-036AB 标准包装:1 2N7334 功能描述:MOSFET 4N-CH 100V 1A MO-036AB 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 FET 类型:4 个 N 通道 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):100V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):1A 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):700 毫欧 @ 600mA,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):60nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):- 功率 - 最大值:1.4W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:14-DIP(0.300",7.62mm) 供应商器件封装:MO-036AB 标准包装:1 2N7236U 功能描述:MOSFET P-CH 100V SMD1 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):100V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):18A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):200 毫欧 @ 11A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):60nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):- 功率 - 最大值:4W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-267AB 供应商器件封装:TO-267AB 标准包装:1 2N7236 功能描述:MOSFET P-CH 100V TO-254AA 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):100V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):18A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):200 毫欧 @ 11A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):60nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):- 功率 - 最大值:4W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-254-3,TO-254AA(直引线) 供应商器件封装:TO-254AA 标准包装:1 2N7228U 功能描述:MOSFET N-CH 500V SMD1 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):500V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):12A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):415 毫欧 @ 8A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):120nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):- 功率 - 最大值:4W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-267AB 供应商器件封装:TO-267AB 标准包装:1 2N930 2N930A 2N930UB 2N9C 2NBS16-TJ1-330 2NCLPT-.25E 2NCLPT-.5E 2NCLPT-1E 2NCLPT-2E 2NCLPT-5E 2NFP0C 2NFP9C 2NT1-70 2NT1-8 2OT0.6-83-F9 2OT1.4-10-F9 2OT1.4-24-F9 2P01-0100-DA
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