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2N920A

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2N920A 技术参数
  • 2N918UB 功能描述:TRANS NPN 15V 0.05A 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):50mA 电压 - 集射极击穿(最大值):15V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):400mV @ 1mA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):1μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):20 @ 3mA,1V 功率 - 最大值:200mW 频率 - 跃迁:- 安装类型:表面贴装 封装/外壳:3-SMD,无引线 供应商器件封装:UB 标准包装:1 2N918 功能描述:NPN TRANSISTOR 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件状态:在售 标准包装:1 2N915 功能描述:NPN TRANSISTOR 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件状态:在售 标准包装:1 2N7640-GA 功能描述:TRANS SJT 650V 16A TO276 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 FET 类型:结式晶体管,常闭 FET 功能:碳化硅 (SiC) 漏源极电压(Vdss):650V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):16A(Tc)(155°C) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):105 毫欧 @ 16A 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):- 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1534pF @ 35V 功率 - 最大值:330W 工作温度:-55°C ~ 225°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-276AA 供应商器件封装:TO-276 标准包装:10 2N7639-GA 功能描述:TRANS SJT 650V 15A TO-257 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 FET 类型:结式晶体管,常闭 FET 功能:碳化硅 (SiC) 漏源极电压(Vdss):650V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):15A(Tc)(155°C) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):105 毫欧 @ 15A 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):- 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1534pF @ 35V 功率 - 最大值:172W 工作温度:-55°C ~ 225°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-257-3 供应商器件封装:TO-257 标准包装:10 2NCLPT-5E 2NFP0C 2NFP9C 2NT1-70 2NT1-8 2OT0.6-83-F9 2OT1.4-10-F9 2OT1.4-24-F9 2P01-0100-DA 2P01-0100-ES 2P01-0200-DA 2P01-0200-ES 2P01-0300-DA 2P02-0100-DA 2P02-0100-ES 2P02-0200-DA 2P02-0200-ES 2P02-0300-DA
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