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2SA1315-Y,HOF(M

配单专家企业名单
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  • 说明
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  • 2SA1315-Y,HOF(M
    2SA1315-Y,HOF(M

    2SA1315-Y,HOF(M

  • 上海鑫科润电子科技有限公司
    上海鑫科润电子科技有限公司

    联系人:鑫科润

    电话:185210072361851602286718516022897

    地址:上海徐汇区中山南二路1007号

  • 16000

  • Toshiba Semiconductor and

  • 原厂封装

  • 17+

  • -
  • 全新原装现货

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2SA1315-Y,HOF(M PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
  • 功能描述
  • TRANS PNP 2A 80V TO226-3
  • 制造商
  • toshiba semiconductor and storage
  • 系列
  • -
  • 包装
  • 散装
  • 零件状态
  • 停產
  • 晶体管类型
  • PNP
  • 电流 - 集电极(Ic)(最大值)
  • 2A
  • 电压 - 集射极击穿(最大值)
  • 80V
  • 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值)
  • 500mV @ 50mA,1A
  • 电流 - 集电极截止(最大值)
  • 1μA(ICBO)
  • 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值)
  • 70 @ 500mA,2V
  • 功率 - 最大值
  • 900mW
  • 频率 - 跃迁
  • 80MHz
  • 工作温度
  • 150°C(TJ)
  • 安装类型
  • 通孔
  • 封装/外壳
  • TO-226-3,TO-92-3 长体
  • 供应商器件封装
  • TO-92MOD
  • 标准包装
  • 1
2SA1315-Y,HOF(M 技术参数
  • 2SA1313-Y,LF 功能描述:TRANS PNP 50V 0.5A SMINI 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值):500mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 10mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):120 @ 100mA,1V 功率 - 最大值:200mW 频率 - 跃迁:200MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:S-Mini 标准包装:1 2SA1313-O(TE85L,F) 功能描述:TRANS PNP 50V 500MA TO236-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:Digi-Key 停止供應 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值):500mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 10mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):70 @ 100mA,1V 功率 - 最大值:200mW 频率 - 跃迁:200MHz 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:S-Mini 标准包装:1 2SA1312GRTE85LF 功能描述:TRANS PNP 120V 0.1A S-MINI 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):120V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 1mA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):200 @ 2mA,6V 功率 - 最大值:150mW 频率 - 跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:S-Mini 标准包装:1 2SA1312-BL(TE85L,F 功能描述:TRANS PNP 120V 0.1A S-MINI 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):120V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 1mA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):350 @ 2mA,6V 功率 - 最大值:150mW 频率 - 跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:S-Mini 标准包装:1 2SA1309ASA 功能描述:TRANS PNP 50V 0.1A NS-B1 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 5mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值):1μA 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):290 @ 2mA,10V 功率 - 最大值:300mW 频率 - 跃迁:80MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:NS-B1 供应商器件封装:NS-B1 标准包装:1 2SA1416S-TD-E 2SA1416T-TD-E 2SA1417S-TD-E 2SA1417T-TD-E 2SA1418S-TD-E 2SA1418T-TD-E 2SA1419S-TD-E 2SA1419S-TD-H 2SA1419T-TD-E 2SA1419T-TD-H 2SA1425-Y,T2F(J 2SA1428-O,T2CLAF(J 2SA1428-O,T2CLAF(M 2SA1428-O,T2WNLF(J 2SA1428-Y(T2TR,A,F 2SA1428-Y,T2F(J 2SA1428-Y,T2F(M 2SA1429-Y(T2OMI,FM
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