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2SA1418-TD-E

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  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

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2SA1418-TD-E 技术参数
  • 2SA1418S-TD-E 功能描述:TRANS PNP 160V 0.7A SOT89-3 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值):700mA 电压 - 集射极击穿(最大值):160V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):400mV @ 25mA,250mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):100 @ 100mA,5V 功率 - 最大值:500mW 频率 - 跃迁:120MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:PCP 标准包装:1 2SA1417T-TD-E 功能描述:TRANS PNP 100V 2A SOT89-3 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值):2A 电压 - 集射极击穿(最大值):100V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):400mV @ 100mA,1A 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):100 @ 100mA,5V 功率 - 最大值:500mW 频率 - 跃迁:120MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:PCP 标准包装:1 2SA1417S-TD-E 功能描述:TRANS PNP 100V 2A SOT89-3 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值):2A 电压 - 集射极击穿(最大值):100V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):400mV @ 100mA,1A 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):100 @ 100mA,5V 功率 - 最大值:500mW 频率 - 跃迁:120MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:PCP 标准包装:1 2SA1416T-TD-E 功能描述:TRANS PNP 100V 1A SOT89-3 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值):1A 电压 - 集射极击穿(最大值):100V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):400mV @ 40mA,400mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):100 @ 100mA,5V 功率 - 最大值:500mW 频率 - 跃迁:120MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:PCP 标准包装:1,000 2SA1416S-TD-E 功能描述:TRANS PNP 100V 1A SOT89-3 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值):1A 电压 - 集射极击穿(最大值):100V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):400mV @ 40mA,400mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):100 @ 100mA,5V 功率 - 最大值:500mW 频率 - 跃迁:120MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:PCP 标准包装:1 2SA1428-Y(T2TR,A,F 2SA1428-Y,T2F(J 2SA1428-Y,T2F(M 2SA1429-Y(T2OMI,FM 2SA1429-Y(T2TR,F,M 2SA1488 2SA1488A 2SA1492 2SA1493 2SA1494 2SA1507S 2SA1507T 2SA1514KT146R 2SA1514KT146S 2SA1515STPQ 2SA1515STPR 2SA15320CL 2SA1534ARA
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