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2SA1706R-AN

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2SA1706R-AN 技术参数
  • 2SA1705T-AN 功能描述:TRANS PNP 50V 1A NMP 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:Not Recommended For New Designs 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值):1A 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):500mV @ 50mA,500mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):200 @ 100mA,2V 功率 - 最大值:900mW 频率 - 跃迁:150MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:SC-71 供应商器件封装:3-NMP 标准包装:2,500 2SA1705S-AN 功能描述:TRANS PNP 50V 1A NMP 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值):1A 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):500mV @ 50mA,500mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):100 @ 100mA,2V 功率 - 最大值:900mW 频率 - 跃迁:150MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:SC-71 供应商器件封装:3-NMP 标准包装:2,500 2SA1695 功能描述:TRANS PNP 140V 10A TO3P 制造商:sanken 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值):10A 电压 - 集射极击穿(最大值):140V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):500mV @ 500mA,5A 电流 - 集电极截止(最大值):10μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):50 @ 3A,4V 功率 - 最大值:100W 频率 - 跃迁:20MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-3P-3 整包 供应商器件封装:TO-3P 标准包装:30 2SA1694 功能描述:TRANS PNP 120V 8A TO3P 制造商:sanken 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值):8A 电压 - 集射极击穿(最大值):120V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):1.5V @ 300mA,3A 电流 - 集电极截止(最大值):10μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):50 @ 3A,4V 功率 - 最大值:80W 频率 - 跃迁:20MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-3P-3 整包 供应商器件封装:TO-3P 标准包装:1,020 2SA1693 功能描述:TRANS PNP 80V 6A TO3P 制造商:sanken 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值):6A 电压 - 集射极击穿(最大值):80V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):1.5V @ 200mA,2A 电流 - 集电极截止(最大值):10μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):50 @ 2A,4V 功率 - 最大值:60W 频率 - 跃迁:20MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-3P-3 整包 供应商器件封装:TO-3P 标准包装:30 2SA1721RTE85LF 2SA1723 2SA1725 2SA1727TLP 2SA1727TLQ 2SA17380RL 2SA17390RL 2SA1746 2SA17480RL 2SA1748GRL 2SA1759T100P 2SA1761,F(J 2SA1761,T6F(J 2SA1761,T6F(M 2SA17670QA 2SA1768S-AN 2SA1768T-AN 2SA1770S-AN
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