2SA1721-O(TE85R,F)

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2SA1721-O(TE85R,F) 技术参数

2SA1709T-AN 功能描述:TRANS PNP 100V 2A NMP 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:2A 电压 - 集射极击穿（最大值）:100V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:600mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:200 @ 100mA，10V 功率 - 最大值:1W 频率 - 跃迁:120MHz 安装类型:通孔封装/外壳:SC-71 供应商器件封装:3-NMP 标准包装:2,500 2SA1709S-AN 功能描述:TRANS PNP 100V 2A NMP 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:2A 电压 - 集射极击穿（最大值）:100V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:600mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:100 @ 100mA，5V 功率 - 最大值:1W 频率 - 跃迁:120MHz 安装类型:通孔封装/外壳:SC-71 供应商器件封装:3-NMP 标准包装:2,500 2SA1708T-AN 功能描述:TRANS PNP 100V 1A NMP 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:Not Recommended For New Designs 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:1A 电压 - 集射极击穿（最大值）:100V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:600mV @ 40mA，400mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:200 @ 100mA，5V 功率 - 最大值:1W 频率 - 跃迁:120MHz 安装类型:通孔封装/外壳:SC-71 供应商器件封装:3-NMP 标准包装:2,500 2SA1708S-AN 功能描述:TRANS PNP 100V 1A NMP 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:Not Recommended For New Designs 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:1A 电压 - 集射极击穿（最大值）:100V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:600mV @ 40mA，400mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:100 @ 100mA，5V 功率 - 最大值:1W 频率 - 跃迁:120MHz 安装类型:通孔封装/外壳:SC-71 供应商器件封装:3-NMP 标准包装:1 2SA1707T-AN 功能描述:TRANS PNP 50V 3A NMP 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:Not Recommended For New Designs 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:3A 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:700mV @ 100mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:1μA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:200 @ 100mA，2V 功率 - 最大值:1W 频率 - 跃迁:150MHz 安装类型:通孔封装/外壳:SC-71 供应商器件封装:3-NMP 标准包装:2,500 2SA17480RL 2SA1748GRL 2SA1759T100P 2SA1761,F(J 2SA1761,T6F(J 2SA1761,T6F(M 2SA17670QA 2SA1768S-AN 2SA1768T-AN 2SA1770S-AN 2SA1770T-AN 2SA1774EBTLP 2SA1774EBTLQ 2SA1774EBTLR 2SA1774EBTLS 2SA1774G 2SA1774T1 2SA1774T1G