2SA1779BRR

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2SA1779BRR 技术参数

2SA1778-3-TB-E 功能描述:TRANS PNP 15V 50MA 3CP 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期晶体管类型:PNP 电压 - 集射极击穿（最大值）:15V 频率 - 跃迁:1.2GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:2.5dB @ 400MHz 增益:13dB 功率 - 最大值:250mW 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:60 @ 5mA，10V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:50mA 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:3-CP 标准包装:1 2SA1776TV2Q 功能描述:TRANS PNP 400V 0.5A ATV 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:400V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1V @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:1μA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:120 @ 50mA，5V 功率 - 最大值:1W 频率 - 跃迁:12MHz 安装类型:通孔封装/外壳:3-SIP 供应商器件封装:ATV 标准包装:1 2SA1776TV2P 功能描述:TRANS PNP 400V 0.5A ATV 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:400V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1V @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:1μA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:82 @ 50mA，5V 功率 - 最大值:1W 频率 - 跃迁:12MHz 安装类型:通孔封装/外壳:3-SIP 供应商器件封装:ATV 标准包装:1 2SA1774TLS 功能描述:TRANS PNP 50V 0.15A SOT-416 TR 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:Not Recommended For New Designs 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:150mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:500mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:120 @ 1mA，6V 功率 - 最大值:150mW 频率 - 跃迁:140MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-75，SOT-416 供应商器件封装:EMT3 标准包装:1 2SA1774TLR 功能描述:TRANS PNP 50V 0.15A SOT-416 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:150mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:500mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:180 @ 1mA，6V 功率 - 最大值:150mW 频率 - 跃迁:140MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-75，SOT-416 供应商器件封装:EMT3 标准包装:1 2SA1812T100Q 2SA1815-4-TB-E 2SA1827S-AY 2SA1832-GR,LF 2SA1832-Y,LF 2SA1834TLR 2SA1834TLS 2SA1837(F,M) 2SA1837(LBSAN,F,M) 2SA1837(PAIO,F,M) 2SA1837,F(J 2SA1837,HFEMBJF(J 2SA1837,HFEYHF(J 2SA1837,HFEYHF(M 2SA1837,NSEIKIF(J 2SA1837,S1CSF(J 2SA1837,TOA1F(J 2SA1837,WNLF(J