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2SA1972

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  • 2SA1972
    2SA1972

    2SA1972

  • 深圳市鸿昌盛电子科技有限公司
    深圳市鸿昌盛电子科技有限公司

    联系人:杨先生

    电话:0755-23603360832114658325800283223169

    地址:门市: 新华强广场2楼Q2B036室 | 公司: 深圳市福田区华强北路赛格广场58楼5813室

    资质:营业执照

  • 5600

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  • 公司现货!只做原装!

  • 2SA1972
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  • 北京元坤伟业科技有限公司
    北京元坤伟业科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-6210479162106431621045786210493162104891

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室

    资质:营业执照

  • 5000

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  • 假一罚十,百分百原装正品

  • 2SA1972
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  • 深圳市华创欧科技有限公司
    深圳市华创欧科技有限公司

    联系人:朱先生

    电话:2394575513590206539

    地址:深圳市福田区华强北上步工业区201栋4楼4A68-2室

  • 26100

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  • 2216+

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  • 十年芯途,只做原装,实单可以支持。075...

  • 2SA1972
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  • 深圳廊盛科技有限公司
    深圳廊盛科技有限公司

    联系人:李小姐

    电话:18229386512

    地址:上步工业区501栋410室

  • 20000

  • TOSHIBA/东芝

  • TO-92L

  • 23+

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  • 原装正品 欢迎咨询

  • 2SA1972
    2SA1972

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  • 深圳廊盛科技有限公司
    深圳廊盛科技有限公司

    联系人:严艺浦

    电话:18682365538

    地址:上步工业区501栋410室

  • 20000

  • TOSHIBA/东芝

  • TO-92L

  • 23+

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  • 原装正品 欢迎咨询

  • 2SA1972,F(J
    2SA1972,F(J

    2SA1972,F(J

  • 上海鑫科润电子科技有限公司
    上海鑫科润电子科技有限公司

    联系人:鑫科润

    电话:185210072361851602286718516022897

    地址:上海徐汇区中山南二路1007号

  • 16000

  • Toshiba Semiconductor and

  • 原厂封装

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  • 全新原装现货

  • 2SA1972
    2SA1972

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  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
    深圳市毅创辉电子科技有限公司

    联系人:雷春艳

    电话:19129493934(手机优先微信同号)0755-83266697

    地址:深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室

    资质:营业执照

  • 40

  • TOSHIBA盒

  • TO-92L

  • 07+

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  • 全新原装现货

  • 2SA1972
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  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人:朱先生/李小姐

    电话:0755-2394163213723794312(微信同号)

    地址:广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。

  • 865000

  • TOSHIBA

  • TO92L

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2SA1972 技术参数
  • 2SA1962RTU 功能描述:TRANS PNP 250V 17A TO-3P 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值):17A 电压 - 集射极击穿(最大值):250V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):3V @ 800mA,8A 电流 - 集电极截止(最大值):5μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):55 @ 1A,5V 功率 - 最大值:130W 频率 - 跃迁:30MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-3P-3,SC-65-3 供应商器件封装:TO-3P 标准包装:30 2SA1962OTU 功能描述:TRANS PNP 250V 17A TO-3P 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值):17A 电压 - 集射极击穿(最大值):250V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):3V @ 800mA,8A 电流 - 集电极截止(最大值):5μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):80 @ 1A,5V 功率 - 最大值:130W 频率 - 跃迁:30MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-3P-3,SC-65-3 供应商器件封装:TO-3P 标准包装:30 2SA1962-O(Q) 功能描述:TRANS PNP 230V 15A TO-3PN 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值):15A 电压 - 集射极击穿(最大值):230V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):3V @ 800mA,8A 电流 - 集电极截止(最大值):5μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):80 @ 1A,5V 功率 - 最大值:130W 频率 - 跃迁:30MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-3P-3,SC-65-3 供应商器件封装:TO-3P(N) 标准包装:50 2SA1955FVBTPL3Z 功能描述:TRANS PNP 12V 0.4A VESM 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值):400mA 电压 - 集射极击穿(最大值):12V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 10mA,200mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):300 @ 10mA,2V 功率 - 最大值:100mW 频率 - 跃迁:130MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOT-723 供应商器件封装:VESM 标准包装:1 2SA1955FVATPL3Z 功能描述:TRANS PNP 12V 0.4A VESM 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值):400mA 电压 - 集射极击穿(最大值):12V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 10mA,200mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):300 @ 10mA,2V 功率 - 最大值:100mW 频率 - 跃迁:130MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-101,SOT-883 供应商器件封装:CST3 标准包装:1 2SA2012-TD-E 2SA2013-TD-E 2SA2016-TD-E 2SA2018TL 2SA202800L 2SA2028G0L 2SA2029M3T5G 2SA2029T2LQ 2SA2029T2LR 2SA2030T2L 2SA2039-E 2SA2039-H 2SA2039-TL-E 2SA2039-TL-H 2SA2040-E 2SA2040-TL-E 2SA204600L 2SA2048KT146Q
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