2SA2161G0L全国供应商【买卖IC网】2SA2161G0L资料|PDF Datasheet|价格 Panasonic

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型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

2SA2161G0L
深圳市科翼源电子有限公司
深圳市科翼源电子有限公司
联系人：朱小姐
电话：13510998172
地址：振华路100号深纺大厦C座2楼E16
资质：营业执照
14857
PANASONIC/松下
SOT423-3
21+
-
原厂原装现货

2SA2161G0L
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
15000
PANASONIC
1521+
-
全新原装现货

2SA2161G0L
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：史仙雁
电话：19129911934（手机优先微信同号）0755-82813018
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
2900
PANASONIC
ROHS
1315+
-
全新原装正品欢迎来电0755-8286...

2SA2161G0L
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：何芝
电话：19129491934(手机优先微信同号)0755-82865099
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
2850
PANASONIC
SROHS
201333
-
原装正品，现货库存，400-800-03...

2SA2161G0L
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：朱先生/李小姐
电话：0755-2394163213723794312（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。
865000
PANASONIC
SOT423-3
最新批号
-
一级代理.原装特价现货！

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1

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功能描述
TRANS PNP 12VCEO 500MA SSMINI3P
RoHS
是
类别
分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路
系列
-
标准包装
1
系列
-
晶体管类型
NPN
电流 - 集电极 (Ic)（最大）
1A
电压 - 集电极发射极击穿（最大）
30V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）
200mV @ 100mA，1A
电流 - 集电极截止（最大）
100nA
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)
300 @ 500mA，5V
功率 - 最大
710mW
频率 - 转换
100MHz
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商设备封装
SOT-23-3（TO-236）
包装
Digi-Reel®
其它名称
MMBT489LT1GOSDKR

2SA2161G0L 技术参数

2SA2154MFV-GR(TPL3 功能描述:TRANS PNP 50V 0.15A VESM 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:150mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:200 @ 2mA，6V 功率 - 最大值:150mW 频率 - 跃迁:80MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:SOT-723 供应商器件封装:VESM 标准包装:1 2SA2154CT-Y(TPL3) 功能描述:TRANS PNP 50V 0.1A 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:120 @ 2mA，6V 功率 - 最大值:100mW 频率 - 跃迁:80MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-101，SOT-883 供应商器件封装:CST3 标准包装:1 2SA2154CT-GR,L3F 功能描述:TRANS PNP 50V 0.1A 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:200 @ 2mA，6V 功率 - 最大值:100mW 频率 - 跃迁:80MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-101，SOT-883 供应商器件封装:CST3 标准包装:1 2SA2153-TD-E 功能描述:TRANS PNP 50V 2A SOT89-3 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:2A 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:400mV @ 50mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:1μA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:200 @ 100mA，2V 功率 - 最大值:1.3W 频率 - 跃迁:420MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:PCP 标准包装:1 2SA2151A 功能描述:TRANS PNP 230V 15A TO3P 制造商:sanken 系列:- 包装:散装零件状态:有效晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:15A 电压 - 集射极击穿（最大值）:230V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:500mV @ 500mA，5A 电流 - 集电极截止（最大值）:10μA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:50 @ 3A，4V 功率 - 最大值:160W 频率 - 跃迁:20MHz 安装类型:通孔封装/外壳:TO-3P-3，SC-65-3 供应商器件封装:TO-3P 标准包装:30 2SA2180 2SA2186-AN 2SA2199T2LR 2SA2202-TD-E 2SA2205-E 2SA2205-TL-E 2SA2210 2SA2210-1E 2SA2210-EPN-1E 2SA2210-EPN-1EX 2SA2222 2SA2222SG 2SA2223 2SA2223A 2SA608NF-NPA-AT 2SA608NG-NPA-AT 2SA733P 2SA733P_D26Z

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