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2SAR553P T100

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    2SAR553P T100

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  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

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2SAR553P T100 技术参数
  • 2SAR552PT100 功能描述:TRANS PNP 30V 3A MPT3 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值):3A 电压 - 集射极击穿(最大值):30V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):400mV @ 50mA,1A 电流 - 集电极截止(最大值):1μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):200 @ 500mA,2V 功率 - 最大值:2W 频率 - 跃迁:330MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:MPT3 标准包装:1 2SAR552PFRAT100 功能描述:PNP DRIVER TRANSISTOR (CORRESPON 制造商:rohm semiconductor 系列:汽车级,AEC-Q101 零件状态:在售 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值):3A 电压 - 集射极击穿(最大值):30V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):400mV @ 50mA,1A 电流 - 集电极截止(最大值):1μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):200 @ 500mA,2V 功率 - 最大值:500mW 频率 - 跃迁:330MHz 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:MPT3 标准包装:1 2SAR552P5T100 功能描述:PNP -30V -3A MEDIUM POWER TRANSI 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值):3A 电压 - 集射极击穿(最大值):30V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):400mV @ 50mA,1A 电流 - 集电极截止(最大值):1μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):200 @ 500mA,2V 功率 - 最大值:500mW 频率 - 跃迁:330MHz 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:MPT3 标准包装:1 2SAR544RTL 功能描述:TRANS PNP 80V 2.5A TSMT3 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值):2.5A 电压 - 集射极击穿(最大值):80V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):400mV @ 50mA,1A 电流 - 集电极截止(最大值):1μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):120 @ 100mA,3V 功率 - 最大值:1W 频率 - 跃迁:280MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-96 供应商器件封装:TSMT3 标准包装:1 2SAR544PT100 功能描述:TRANS PNP 80V 2.5A SOT-89 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值):2.5A 电压 - 集射极击穿(最大值):80V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):400mV @ 50mA,1A 电流 - 集电极截止(最大值):1μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):120 @ 100mA,3V 功率 - 最大值:2W 频率 - 跃迁:280MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:MPT3 标准包装:1 2SAR572DGTL 2SAR573D3TL1 2SAR574D3TL1 2SAR586D3TL1 2SASL 2SB06210RA 2SB0621ARA 2SB0709A0L 2SB0709AQL 2SB0709ARL 2SB0709ASL 2SB071000L 2SB07100QL 2SB07100RL 2SB07100SL 2SB0710A0L 2SB0710AQL 2SB0710ARL
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