2SB1189 FRAT100R

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2SB1189 FRAT100R
深圳市特瑞斯科技有限公司
深圳市特瑞斯科技有限公司
联系人：李先生
电话：0755-8277481983249326
地址：销售一部：华强北上步工业区501栋401室销售二部：深圳市福田区红荔路上航大厦411室
资质：营业执照
18530
ROHM
SOT89
20+
-
公司常备大量原装现货，价优！

2SB1189 FRAT100R
深圳廊盛科技有限公司
深圳廊盛科技有限公司
联系人：李小姐
电话：18229386512
地址：上步工业区501栋410室
20000
ROHM/罗姆
SOT-89
23+
-
原装正品欢迎咨询

2SB1189 FRAT100R
深圳市科翼源电子有限公司
深圳市科翼源电子有限公司
联系人：朱小姐
电话：13510998172
地址：振华路100号深纺大厦C座2楼E16
资质：营业执照
27062
ROHM/罗姆
SOT-89
21+
-
原厂原装现货

2SB1189 FRAT100R
深圳市时兴宇电子有限公司
深圳市时兴宇电子有限公司
联系人：彭先生
电话：0755-830415598397218513430523058
地址：深圳市福田区华强北都会大厦A座19楼19G
9866
ROHM
SOT89
10PB
-
绝对公司原装现货

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2SB1189 FRAT100R 技术参数

2SB1188T100R 功能描述:TRANS PNP 32V 2A SO-89 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:Not Recommended For New Designs 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:2A 电压 - 集射极击穿（最大值）:32V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:800mV @ 200mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:1μA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:180 @ 500mA，3V 功率 - 最大值:2W 频率 - 跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:MPT3 标准包装:1 2SB1188T100Q 功能描述:TRANS PNP 32V 2A SO-89 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:Not Recommended For New Designs 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:2A 电压 - 集射极击穿（最大值）:32V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:800mV @ 200mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:1μA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:120 @ 500mA，3V 功率 - 最大值:2W 频率 - 跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:MPT3 标准包装:1 2SB1188T100P 功能描述:TRANS PNP 32V 2A SOT-89 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:Not Recommended For New Designs 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:2A 电压 - 集射极击穿（最大值）:32V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:800mV @ 200mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:1μA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:82 @ 500mA，3V 功率 - 最大值:2W 频率 - 跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:MPT3 标准包装:1,000 2SB1186AE 功能描述:TRANS PNP 160V 1.5A TO220FP 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:过期晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:1.5A 电压 - 集射极击穿（最大值）:160V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:2V @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:1μA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:60 @ 1A，5V 功率 - 最大值:2W 频率 - 跃迁:50MHz 安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 整包供应商器件封装:TO-220FP 标准包装:500 2SB1184TLR 功能描述:TRANS PNP 50V 3A SOT-428 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:停产晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:3A 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1V @ 200mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:1μA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:180 @ 500mA，3V 功率 - 最大值:1W 频率 - 跃迁:70MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 供应商器件封装:CPT3 标准包装:1 2SB1201T-TL-E 2SB1202S-E 2SB1202S-TL-E 2SB1202T-E 2SB1202T-TL-E 2SB1203S-E 2SB1203S-H 2SB1203S-H-TL-E 2SB1203S-TL-E 2SB1203S-TL-H 2SB1203T-E 2SB1203T-H 2SB1203T-H-TL-E 2SB1203T-TL-E 2SB1203T-TL-H 2SB1204S-E 2SB1204S-TL-E 2SB1204T-E