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2SB12990P

配单专家企业名单
  • 型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装
  • 批号
  • 价格
  • 说明
  • 操作
  • 2SB12990P
    2SB12990P

    2SB12990P

  • 深圳市琦凌凯科技有限公司
    深圳市琦凌凯科技有限公司

    联系人:彭先生

    电话:1331648214918276240346

    地址:深圳市福田区华强北街道荔村社区振兴路120号赛格科技园4栋中10层10A19

    资质:营业执照

  • 6000

  • PANASONIC/松下

  • TO-220F

  • 22+

  • -
  • 十年配单,只做原装

  • 1/1页 40条/页 共8条 
  • 1
2SB12990P PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
  • 功能描述
  • TRANS PNP 60VCEO 3A TO-220F
  • RoHS
  • 类别
  • 分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路
  • 系列
  • -
  • 标准包装
  • 1
  • 系列
  • -
  • 晶体管类型
  • NPN
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)
  • 1A
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)
  • 30V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)
  • 200mV @ 100mA,1A
  • 电流 - 集电极截止(最大)
  • 100nA
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)
  • 300 @ 500mA,5V
  • 功率 - 最大
  • 710mW
  • 频率 - 转换
  • 100MHz
  • 安装类型
  • 表面贴装
  • 封装/外壳
  • TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商设备封装
  • SOT-23-3(TO-236)
  • 包装
  • Digi-Reel®
  • 其它名称
  • MMBT489LT1GOSDKR
2SB12990P 技术参数
  • 2SB1275TLP 功能描述:TRANS PNP 160V 1.5A SOT-428 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:Not Recommended For New Designs 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值):1.5A 电压 - 集射极击穿(最大值):160V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):2V @ 100mA,1A 电流 - 集电极截止(最大值):1μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):82 @ 100mA,5V 功率 - 最大值:10W 频率 - 跃迁:50MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 供应商器件封装:CPT3 标准包装:1 2SB1274S 功能描述:TRANS PNP 60V 3A TO-220ML 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:过期 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值):3A 电压 - 集射极击穿(最大值):60V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):1V @ 200mA,2A 电流 - 集电极截止(最大值):100μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):140 @ 500mA,5V 功率 - 最大值:2W 频率 - 跃迁:100MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商器件封装:TO-220ML 标准包装:100 2SB1274R 功能描述:TRANS PNP 60V 3A TO-220ML 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:过期 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值):3A 电压 - 集射极击穿(最大值):60V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):1V @ 200mA,2A 电流 - 集电极截止(最大值):100μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):100 @ 500mA,5V 功率 - 最大值:2W 频率 - 跃迁:100MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商器件封装:TO-220ML 标准包装:100 2SB1260T100R 功能描述:TRANS PNP 80V 1A SOT-89 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:Not Recommended For New Designs 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值):1A 电压 - 集射极击穿(最大值):80V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):400mV @ 50mA,500mA 电流 - 集电极截止(最大值):1μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):180 @ 100mA,3V 功率 - 最大值:2W 频率 - 跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:MPT3 标准包装:1 2SB1260T100Q 功能描述:TRANS PNP 80V 1A SO-89 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:Not Recommended For New Designs 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值):1A 电压 - 集射极击穿(最大值):80V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):400mV @ 50mA,500mA 电流 - 集电极截止(最大值):1μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):120 @ 100mA,3V 功率 - 最大值:2W 频率 - 跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:MPT3 标准包装:1 2SB1326TV2Q 2SB1326TV2R 2SB1351 2SB1375,CLARIONF(M 2SB1382 2SB1383 2SB1386T100Q 2SB1386T100R 2SB13980PA 2SB13980QA 2SB1412TLP 2SB1412TLQ 2SB1412TLR 2SB14140RA 2SB14160RA 2SB1417APA 2SB1418APA 2SB1418AQA
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