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2SB1326TV2P

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2SB1326TV2P 技术参数
  • 2SB1322A0A 功能描述:TRANS PNP 50V 1A MT-2 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值):1A 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):400mV @ 50mA,500mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):85 @ 500mA,10V 功率 - 最大值:1W 频率 - 跃迁:200MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:3-SIP 供应商器件封装:MT-2-A1 标准包装:1 2SB1321A0A 功能描述:TRANS PNP 50V 0.5A MT-1 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值):500mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):600mV @ 30mA,300mA 电流 - 集电极截止(最大值):1μA 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):85 @ 10mA,10V 功率 - 最大值:600mW 频率 - 跃迁:200MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:3-SIP 供应商器件封装:MT-1-A1 标准包装:1 2SB1320A0A 功能描述:TRANS PNP 50V 0.1A MT-1 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):1V @ 10mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):1μA 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):160 @ 2mA,10V 功率 - 最大值:400mW 频率 - 跃迁:80MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:3-SIP 供应商器件封装:MT-1-A1 标准包装:1 2SB1316TL 功能描述:TRANS PNP DARL 100V 2A SOT-428 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:Not Recommended For New Designs 晶体管类型:PNP - 达林顿 电流 - 集电极(Ic)(最大值):2A 电压 - 集射极击穿(最大值):100V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):1.5V @ 1mA,1A 电流 - 集电极截止(最大值):10μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):1000 @ 1A,2V 功率 - 最大值:10W 频率 - 跃迁:50MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 供应商器件封装:CPT3 标准包装:1 2SB1308T100R 功能描述:TRANS PNP 20V 3A SOT89 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:停产 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值):3A 电压 - 集射极击穿(最大值):20V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):450mV @ 150mA,1.5A 电流 - 集电极截止(最大值):500nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):180 @ 500mA,2V 功率 - 最大值:2W 频率 - 跃迁:120MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:MPT3 标准包装:1 2SB13980QA 2SB1412TLP 2SB1412TLQ 2SB1412TLR 2SB14140RA 2SB14160RA 2SB1417APA 2SB1418APA 2SB1418AQA 2SB1420 2SB1424T100Q 2SB1424T100R 2SB1427T100E 2SB143400A 2SB14350RA 2SB14380RA 2SB14400RL 2SB1440GRL
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