2SB1472E

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2SB1472E 技术参数

2SB1463JRL 功能描述:TRANS PNP 150V 0.05A SSMINI-3 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:50mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:150V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1V @ 3mA，30mA 电流 - 集电极截止（最大值）:1μA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:130 @ 10mA，5V 功率 - 最大值:125mW 频率 - 跃迁:200MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-89，SOT-490 供应商器件封装:SS迷你型3-F1 标准包装:1 2SB1463GRL 功能描述:TRANS PNP 150V 0.05A SSMINI-3 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:50mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:150V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1V @ 3mA，30mA 电流 - 集电极截止（最大值）:1μA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:130 @ 10mA，5V 功率 - 最大值:125mW 频率 - 跃迁:200MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-89，SOT-490 供应商器件封装:SS迷你型3-F3 标准包装:1 2SB1462J0L 功能描述:TRANS PNP 50V 0.1A SS-MINI 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:500mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100μA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:160 @ 2mA，10V 功率 - 最大值:125mW 频率 - 跃迁:80MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-89，SOT-490 供应商器件封装:SS迷你型3-F1 标准包装:1 2SB1462G0L 功能描述:TRANS PNP 50V 0.1A SSMINI-3 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:500mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100μA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:160 @ 2mA，10V 功率 - 最大值:125mW 频率 - 跃迁:80MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-89，SOT-490 供应商器件封装:SS迷你型3-F3 标准包装:1 2SB1457,T6YMEF(M 功能描述:TRANS PNP 2A 100V TO226-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:散装零件状态:停產晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:2A 电压 - 集射极击穿（最大值）:100V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 1mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:10μA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:2000 @ 1A，2V 功率 - 最大值:900mW 频率 - 跃迁:50MHz 工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 长体供应商器件封装:TO-92MOD 标准包装:1 2SB1560 2SB1561T100Q 2SB1565FU6E 2SB1570 2SB157400L 2SB1580T100 2SB1587 2SB1588 2SB158900L 2SB1590KT146Q 2SB15920RA 2SB15990QL 2SB15990RL 2SB1623AP 2SB1647 2SB1648 2SB1649 2SB167900L