2SB1493P

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2SB1493P 技术参数

2SB14880PA 功能描述:TRANS PNP 400V 0.5A MT-2 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:400V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:500mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:1μA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:80 @ 50mA，5V 功率 - 最大值:1W 频率 - 跃迁:25MHz 安装类型:通孔封装/外壳:3-SIP 供应商器件封装:MT-2-A1 标准包装:1 2SB1481(TOJS,Q,M) 功能描述:TRANS PNP 4A 100V TO220-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:散装零件状态:停產晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:4A 电压 - 集射极击穿（最大值）:100V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 6mA，3A 电流 - 集电极截止（最大值）:2μA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:2000 @ 3A，2V 功率 - 最大值:2W 频率 - 跃迁:- 工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 整包供应商器件封装:TO-220NIS 标准包装:1 2SB1474TL 功能描述:TRANS PNP DARL 80V 4A SOT-428 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:Not Recommended For New Designs 晶体管类型:PNP - 达林顿电流 - 集电极（Ic）（最大值）:4A 电压 - 集射极击穿（最大值）:80V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 4mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:100μA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:1000 @ 2A，3V 功率 - 最大值:1W 频率 - 跃迁:12MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 供应商器件封装:CPT3 标准包装:2,500 2SB1463JRL 功能描述:TRANS PNP 150V 0.05A SSMINI-3 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:50mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:150V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1V @ 3mA，30mA 电流 - 集电极截止（最大值）:1μA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:130 @ 10mA，5V 功率 - 最大值:125mW 频率 - 跃迁:200MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-89，SOT-490 供应商器件封装:SS迷你型3-F1 标准包装:1 2SB1463GRL 功能描述:TRANS PNP 150V 0.05A SSMINI-3 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:50mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:150V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1V @ 3mA，30mA 电流 - 集电极截止（最大值）:1μA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:130 @ 10mA，5V 功率 - 最大值:125mW 频率 - 跃迁:200MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-89，SOT-490 供应商器件封装:SS迷你型3-F3 标准包装:1 2SB1570 2SB157400L 2SB1580T100 2SB1587 2SB1588 2SB158900L 2SB1590KT146Q 2SB15920RA 2SB15990QL 2SB15990RL 2SB1623AP 2SB1647 2SB1648 2SB1649 2SB167900L 2SB1679G0L 2SB1689T106 2SB1690KT146