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2SC3398S-TD

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  • 深圳市科思奇电子科技有限公司
    深圳市科思奇电子科技有限公司

    联系人:林小姐/欧阳先生

    电话:0755-832450508278593918923762408微信同号

    地址:深圳市福田区上步工业区501栋1109-1110室

    资质:营业执照

  • 6000

  • SANYO三洋

  • SOT-23

  • 23+

  • -
  • 只做原装正品

  • 2SC3398S-TD
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  • 深圳市深美诺电子科技有限公司
    深圳市深美诺电子科技有限公司

    联系人:李燕兵

    电话:82525918

    地址:深圳市福田区华强北路上步工业区101栋5楼517-532室

    资质:营业执照

  • 6000

  • SANYO三洋

  • SOT-23

  • 22+

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  • 全新原装现货供应

  • 2SC3398S-TD
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  • 深圳市澳亿芯电子科技有限公司
    深圳市澳亿芯电子科技有限公司

    联系人:廖R

    电话:13163738578

    地址:龙岗区坂田五和大道山海大厦c 栋707

  • 9000

  • SANYO三洋

  • SOT-23

  • 19+

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  • 只做原装正品假一赔十为客户做到零风险

  • 2SC3398S-TD
    2SC3398S-TD

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  • 永利电子元器件深圳有限公司
    永利电子元器件深圳有限公司

    联系人:全迎

    电话:1892843782715626510689杨小姐

    地址:华强路汇商中心

  • 10000

  • SANYO三洋

  • SOT-23

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  • -
  • 只做原装正品

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2SC3398S-TD 技术参数
  • 2SC3357-T1-RF-A 功能描述:SAME AS NE85634 NPN SILICON MEDI 制造商:cel 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:新产品 晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿(最大值):12V 频率 - 跃迁:6.5GHz 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):1.8dB @ 1GHz 增益:10dB 功率 - 最大值:1.2W 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):50 @ 20mA,10V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):100mA 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:SOT-89 标准包装:1,000 2SC3357-T1-A 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-89 制造商:cel 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿(最大值):12V 频率 - 跃迁:6.5GHz 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):1.8dB @ 1GHz 增益:10dB 功率 - 最大值:1.2W 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):50 @ 20mA,10V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):100mA 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:SOT-89 标准包装:1 2SC3357-A 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-89 制造商:cel 系列:- 包装:剪带 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿(最大值):12V 频率 - 跃迁:6.5GHz 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):1.8dB @ 1GHz 增益:9dB 功率 - 最大值:1.2W 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):50 @ 20mA,10V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):100mA 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:SOT-89 标准包装:1 2SC3356-T1B-R25-A 功能描述:SAME AS NE85633 NPN SILICON AMPL 制造商:cel 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:新产品 晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿(最大值):12V 频率 - 跃迁:7GHz 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):1.1dB @ 1GHz 增益:11.5dB 功率 - 最大值:200mW 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):50 @ 20mA,10V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):100mA 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3 标准包装:3,000 2SC3356-T1B-R24-A 功能描述:SAME AS NE85633 NPN SILICON AMPL 制造商:cel 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:新产品 晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿(最大值):12V 频率 - 跃迁:7GHz 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):1.1dB @ 1GHz 增益:11.5dB 功率 - 最大值:200mW 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):50 @ 20mA,10V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):100mA 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23 标准包装:3,000 2SC3519A 2SC3526H 2SC3583-A 2SC3583-T1B-A 2SC3585-A 2SC3585-T1B-A 2SC3601E 2SC3611 2SC3624-T1B-A 2SC3646S-P-TD-E 2SC3646S-TD-E 2SC3646T-P-TD-E 2SC3646T-TD-E 2SC3647S-TD-E 2SC3647T-TD-E 2SC3648S-TD-E 2SC3648T-TD-E 2SC3649S-TD-E
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