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2SC4782PTX

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2SC4782PTX 技术参数
  • 2SC4774T106S 功能描述:TRANS NPN 6V 50MA SOT-323 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿(最大值):6V 频率 - 跃迁:800MHz 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):- 增益:- 功率 - 最大值:200mW 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):180 @ 5mA,5V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):50mA 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-70,SOT-323 供应商器件封装:UMT3 标准包装:1 2SC4738-Y,LF 功能描述:TRANS NPN 50V 0.15A SSM 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):150mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 10mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):120 @ 2mA,6V 功率 - 最大值:100mW 频率 - 跃迁:80MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-75,SOT-416 供应商器件封装:SSM 标准包装:1 2SC4738-GR,LF 功能描述:TRANS NPN 50V 0.15A SSM 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):150mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 10mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):200 @ 2mA,6V 功率 - 最大值:100mW 频率 - 跃迁:80MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-75,SOT-416 供应商器件封装:SSM 标准包装:1 2SC4738-BL(TE85L,F 功能描述:TRANS NPN 50V 0.15A SSM 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):150mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 10mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):350 @ 2mA,6V 功率 - 最大值:100mW 频率 - 跃迁:80MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-75,SOT-416 供应商器件封装:SSM 标准包装:1 2SC4731T-AY 功能描述:TRANS NPN 100V 4A FLP 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:过期 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):4A 电压 - 集射极击穿(最大值):100V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):400mV @ 200mA,2A 电流 - 集电极截止(最大值):1μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):200 @ 500mA,5V 功率 - 最大值:1.5W 频率 - 跃迁:180MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3(SMT)标片 供应商器件封装:FLP 标准包装:1,000 2SC4793,YHF(J 2SC4793,YHF(M 2SC48050QL 2SC4808G0L 2SC4808J0L 2SC4809J0L 2SC48350RL 2SC4837S-AY 2SC4853A-4-TL-E 2SC4881(CANO,F,M) 2SC4881,LS1SUMIF(M 2SC4883 2SC4883A 2SC4886 2SC4915-O,LF 2SC4915-Y,LF 2SC4935-Y,Q(J 2SC4944-GR(TE85L,F
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