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2SC5066FT-Y/M2

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  • 2SC5066FT-Y/M2
    2SC5066FT-Y/M2

    2SC5066FT-Y/M2

  • 北京首天伟业科技有限公司
    北京首天伟业科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-6256544762566447

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1010室

    资质:营业执照

  • 5000

  • TOSHIBA

  • 2011

  • -
  • 假一罚十,百分百原装正品

  • 2SC5066FT-Y/M2
    2SC5066FT-Y/M2

    2SC5066FT-Y/M2

  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人:朱先生/李小姐

    电话:0755-2394163213723794312(微信同号)

    地址:广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。

  • 8650000

  • TOSHIBA

  • SOT-323

  • 最新批号

  • -
  • 代理此型号,原装正品现货!!!

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2SC5066FT-Y/M2 技术参数
  • 2SC5065-Y(TE85L,F) 功能描述:TRANSISTOR NPN MM-USM 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿(最大值):12V 频率 - 跃迁:7GHz 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):1.1dB @ 1GHz 增益:12dB ~ 17dB 功率 - 最大值:100mW 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):120 @ 10mA,5V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):30mA 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-70,SOT-323 供应商器件封装:USM 标准包装:1 2SC5065-O(TE85L,F) 功能描述:TRANS RF NPN 12V 1MHZ USM 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿(最大值):12V 频率 - 跃迁:7GHz 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):1dB @ 500MHz 增益:- 功率 - 最大值:100mW 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):80 @ 10mA,5V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):30mA 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-70,SOT-323 供应商器件封装:USM 标准包装:1 2SC5060TV2M 功能描述:TRANS NPN DARL 90V 1A ATV 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:过期 晶体管类型:NPN - 达林顿 电流 - 集电极(Ic)(最大值):1A 电压 - 集射极击穿(最大值):90V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):1.5V @ 1mA,500mA 电流 - 集电极截止(最大值):10μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):1000 @ 500mA,3V 功率 - 最大值:1W 频率 - 跃迁:80MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:3-SIP 供应商器件封装:ATV 标准包装:2,500 2SC5053T100R 功能描述:TRANS NPN 50V 1A SOT-89 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:Not Recommended For New Designs 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):1A 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):400mV @ 50mA,500mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):180 @ 500mA,3V 功率 - 最大值:500mW 频率 - 跃迁:150MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:MPT3 标准包装:1 2SC5053T100Q 功能描述:TRANS NPN 50V 1A SOT-89 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:Not Recommended For New Designs 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):1A 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):400mV @ 50mA,500mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):120 @ 500mA,3V 功率 - 最大值:2W 频率 - 跃迁:150MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:MPT3 标准包装:1 2SC5087-O(TE85L,F) 2SC5087R(TE85L,F) 2SC5087YTE85LF 2SC5088-O(TE85L,F) 2SC5095-O(TE85L,F) 2SC5095-R(TE85L,F) 2SC5096-O,LF 2SC5096-R,LF 2SC5099 2SC5100 2SC5101 2SC5103TLP 2SC5103TLQ 2SC5108-Y,LF 2SC51210P 2SC5130 2SC5161TLB 2SC5171(LBS2MATQ,M
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