2SC506P-TD

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2SC506P-TD 技术参数

2SC5066-Y,LF 功能描述:TRANS RF NPN 12V 1MHZ SSM 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:停产晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:12V 频率 - 跃迁:7GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:1dB @ 500MHz 增益:- 功率 - 最大值:100mW 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:120 @ 10mA，5V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:30mA 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-75，SOT-416 供应商器件封装:SSM 标准包装:1 2SC5066-O,LF 功能描述:TRANS RF NPN 12V 1MHZ SSM 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:12V 频率 - 跃迁:7GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:1dB @ 500MHz 增益:- 功率 - 最大值:100mW 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:80 @ 10mA，5V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:30mA 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-75，SOT-416 供应商器件封装:SSM 标准包装:1 2SC5065-Y(TE85L,F) 功能描述:TRANSISTOR NPN MM-USM 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:12V 频率 - 跃迁:7GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:1.1dB @ 1GHz 增益:12dB ~ 17dB 功率 - 最大值:100mW 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:120 @ 10mA，5V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:30mA 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-70，SOT-323 供应商器件封装:USM 标准包装:1 2SC5065-O(TE85L,F) 功能描述:TRANS RF NPN 12V 1MHZ USM 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:12V 频率 - 跃迁:7GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:1dB @ 500MHz 增益:- 功率 - 最大值:100mW 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:80 @ 10mA，5V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:30mA 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-70，SOT-323 供应商器件封装:USM 标准包装:1 2SC5060TV2M 功能描述:TRANS NPN DARL 90V 1A ATV 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期晶体管类型:NPN - 达林顿电流 - 集电极（Ic）（最大值）:1A 电压 - 集射极击穿（最大值）:90V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 1mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10μA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:1000 @ 500mA，3V 功率 - 最大值:1W 频率 - 跃迁:80MHz 安装类型:通孔封装/外壳:3-SIP 供应商器件封装:ATV 标准包装:2,500 2SC5087YTE85LF 2SC5088-O(TE85L,F) 2SC5095-O(TE85L,F) 2SC5095-R(TE85L,F) 2SC5096-O,LF 2SC5096-R,LF 2SC5099 2SC5100 2SC5101 2SC5103TLP 2SC5103TLQ 2SC5108-Y,LF 2SC51210P 2SC5130 2SC5161TLB 2SC5171(LBS2MATQ,M 2SC5171(ONK,Q,M) 2SC5171,MATUDQ(J