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2SC5078ZCUL

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2SC5078ZCUL 技术参数
  • 2SC5071 功能描述:TRANS NPN 400V 12A TO-220F 制造商:sanken 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):12A 电压 - 集射极击穿(最大值):400V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):500mV @ 1.4A,7A 电流 - 集电极截止(最大值):100μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):10 @ 7A,4V 功率 - 最大值:100W 频率 - 跃迁:10MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-3P-3,SC-65-3 供应商器件封装:TO-3P 标准包装:30 2SC5066-Y,LF 功能描述:TRANS RF NPN 12V 1MHZ SSM 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:停产 晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿(最大值):12V 频率 - 跃迁:7GHz 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):1dB @ 500MHz 增益:- 功率 - 最大值:100mW 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):120 @ 10mA,5V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):30mA 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-75,SOT-416 供应商器件封装:SSM 标准包装:1 2SC5066-O,LF 功能描述:TRANS RF NPN 12V 1MHZ SSM 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿(最大值):12V 频率 - 跃迁:7GHz 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):1dB @ 500MHz 增益:- 功率 - 最大值:100mW 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):80 @ 10mA,5V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):30mA 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-75,SOT-416 供应商器件封装:SSM 标准包装:1 2SC5065-Y(TE85L,F) 功能描述:TRANSISTOR NPN MM-USM 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿(最大值):12V 频率 - 跃迁:7GHz 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):1.1dB @ 1GHz 增益:12dB ~ 17dB 功率 - 最大值:100mW 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):120 @ 10mA,5V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):30mA 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-70,SOT-323 供应商器件封装:USM 标准包装:1 2SC5065-O(TE85L,F) 功能描述:TRANS RF NPN 12V 1MHZ USM 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿(最大值):12V 频率 - 跃迁:7GHz 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):1dB @ 500MHz 增益:- 功率 - 最大值:100mW 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):80 @ 10mA,5V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):30mA 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-70,SOT-323 供应商器件封装:USM 标准包装:1 2SC5088-O(TE85L,F) 2SC5095-O(TE85L,F) 2SC5095-R(TE85L,F) 2SC5096-O,LF 2SC5096-R,LF 2SC5099 2SC5100 2SC5101 2SC5103TLP 2SC5103TLQ 2SC5108-Y,LF 2SC51210P 2SC5130 2SC5161TLB 2SC5171(LBS2MATQ,M 2SC5171(ONK,Q,M) 2SC5171,MATUDQ(J 2SC5171,ONKQ(J
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