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2SC5084-Y(TE85L,F

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  • 北京元坤伟业科技有限公司
    北京元坤伟业科技有限公司

    联系人：刘先生

    电话：010-6210493162106431621048916210479162104578

    地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室

    资质：营业执照

  • 3000

  • TOSHIBA

  • 原厂封装

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  • 全新原装100%正品保证质量

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  • 北京元坤伟业科技有限公司
    北京元坤伟业科技有限公司

    联系人：刘先生

    电话：010-6210479162106431621045786210493162104891

    地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室

    资质：营业执照

  • 3000

  • TOSHIBA

  • 原厂封装

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  • 北京元坤伟业科技有限公司
    北京元坤伟业科技有限公司

    联系人：刘先生

    电话：010-6210493162106431621048916210479162104578

    地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室

    资质：营业执照

  • 3000

  • TOSHIBA

  • 原厂封装

  • 2009+

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  • 全新原装100%正品保证质量

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  • 深圳市科翼源电子有限公司
    深圳市科翼源电子有限公司

    联系人：朱小姐

    电话：13510998172

    地址：振华路100号深纺大厦C座2楼E16

    资质：营业执照

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  • TOSHIBA/东芝

  • SOT-23

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  • 原厂原装现货

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  • 深圳廊盛科技有限公司
    深圳廊盛科技有限公司

    联系人：李小姐

    电话：18229386512

    地址：上步工业区501栋410室

  • 20000

  • TOSHIBA/东芝

  • SOT-23

  • 23+

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  • 原装正品 欢迎咨询

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  • 深圳廊盛科技有限公司
    深圳廊盛科技有限公司

    联系人：严艺浦

    电话：18682365538

    地址：上步工业区501栋410室

  • 20000

  • TOSHIBA/东芝

  • SOT-23

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  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人：朱先生/李小姐

    电话：0755-2394163213723794312（微信同号）

    地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。

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  • 深圳市一线半导体有限公司
    深圳市一线半导体有限公司

    联系人：谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐

    电话：0755-8378920313332987005

    地址：深圳市福田区华强北华强花园B9F

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  • 原装正品，欢迎订购

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  • 深圳市信通吉电子有限公司
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    联系人：冯

    电话：17841084408

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  • TOSHIBA/东芝

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  • 深圳市一线半导体有限公司
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  • 深圳市博盛源科技有限公司
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    联系人：朱先生

    电话：0755-23984783

    地址：华强广场C座22K

    资质：营业执照

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  • TOSHIBA/东芝

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2SC5084-Y(TE85L,F 技术参数
  • 2SC5084-O(TE85L,F) 功能描述:TRANS RF NPN 7GHZ 80MA SMINI 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:12V 频率 - 跃迁:7GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:1.1dB @ 1GHz 增益:11dB 功率 - 最大值:150mW 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:80 @ 20mA，10V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:80mA 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:S-Mini 标准包装:1 2SC5071 功能描述:TRANS NPN 400V 12A TO-220F 制造商:sanken 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:12A 电压 - 集射极击穿（最大值）:400V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:500mV @ 1.4A，7A 电流 - 集电极截止（最大值）:100μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:10 @ 7A，4V 功率 - 最大值:100W 频率 - 跃迁:10MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-3P-3，SC-65-3 供应商器件封装:TO-3P 标准包装:30 2SC5066-Y,LF 功能描述:TRANS RF NPN 12V 1MHZ SSM 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:停产 晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:12V 频率 - 跃迁:7GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:1dB @ 500MHz 增益:- 功率 - 最大值:100mW 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:120 @ 10mA，5V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:30mA 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-75，SOT-416 供应商器件封装:SSM 标准包装:1 2SC5066-O,LF 功能描述:TRANS RF NPN 12V 1MHZ SSM 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:12V 频率 - 跃迁:7GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:1dB @ 500MHz 增益:- 功率 - 最大值:100mW 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:80 @ 10mA，5V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:30mA 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-75，SOT-416 供应商器件封装:SSM 标准包装:1 2SC5065-Y(TE85L,F) 功能描述:TRANSISTOR NPN MM-USM 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:12V 频率 - 跃迁:7GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:1.1dB @ 1GHz 增益:12dB ~ 17dB 功率 - 最大值:100mW 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:120 @ 10mA，5V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:30mA 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-70，SOT-323 供应商器件封装:USM 标准包装:1 2SC5095-O(TE85L,F) 2SC5095-R(TE85L,F) 2SC5096-O,LF 2SC5096-R,LF 2SC5099 2SC5100 2SC5101 2SC5103TLP 2SC5103TLQ 2SC5108-Y,LF 2SC51210P 2SC5130 2SC5161TLB 2SC5171(LBS2MATQ,M 2SC5171(ONK,Q,M) 2SC5171,MATUDQ(J 2SC5171,ONKQ(J 2SC5171,Q(J
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