2SC5551AF-TD-E全国供应商 2SC5551AF-TD-E资料|PDF Datasheet|价格【ON 安森美半导体】

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型号
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封装
批号
价格
说明
操作

2SC5551AF-TD-E
深圳市恒科翔业电子有限公司
深圳市恒科翔业电子有限公司
联系人：郑
电话：0755-8323836017302646294
地址：华强北路华强广场B座27D
24000
ON/安森美
22+
-
原装正品现货，实单可谈，量大价优

2SC5551AF-TD-E
深圳市亚泰盈科电子有限公司
深圳市亚泰盈科电子有限公司
联系人：郑小姐
电话：15338868823
地址：公司地址：★★深圳市福田区佳和大厦B座1410-1411
资质：营业执照
31852
ON/安森美
SOT-89
2022+
-
专业供应MOS/LDO/晶体管/有大量价...

2SC5551AF-TD-E
上海鑫科润电子科技有限公司
上海鑫科润电子科技有限公司
联系人：鑫科润
电话：185210072361851602286718516022897
地址：上海徐汇区中山南二路1007号
50000
ON Semiconductor
PCP
17+
-
全新原装现货

2SC5551AF-TD-E
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
5000
ON SEMICO
1521+
-
全新原装现货

2SC5551AF-TD-E
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：朱先生/李小姐
电话：0755-2394163213723794312（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。
865000
ONSemicon
原厂封装
最新批号
-
一级代理.原装特价现货！

2SC5551AF-TD-E
深圳市大源实业科技有限公司
深圳市大源实业科技有限公司
联系人：李女士
电话：1530261991513762584085
地址：深圳市龙岗区五和大道山海商业广场C座707室
50500
ON
2016
22+
-
原装，公司部分现货，有单来谈QQ:161...

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功能描述
两极晶体管 - BJT DC-DC CONVERTER
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
配置
晶体管极性
PNP
集电极—基极电压 VCBO
集电极—发射极最大电压 VCEO
- 40 V
发射极 - 基极电压 VEBO
- 6 V
集电极—射极饱和电压
最大直流电集电极电流
增益带宽产品fT
直流集电极/Base Gain hfe Min
100 A
最大工作温度
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerFLAT 2 x 2

2SC5551AF-TD-E 技术参数

2SC5551AE-TD-E 功能描述:TRANS NPN BIPO HI FREQ PCP 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:30V 频率 - 跃迁:3.5GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:- 增益:- 功率 - 最大值:1.3W 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:90 @ 50mA，5V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:300mA 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:PCP 标准包装:1,000 2SC5549,T6F(J 功能描述:TRANS NPN 1A 400V TO226-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:散装零件状态:停產晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:1A 电压 - 集射极击穿（最大值）:400V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1V @ 25mA，200mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100μA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:20 @ 40mA，5V 功率 - 最大值:900mW 频率 - 跃迁:- 工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 长体供应商器件封装:TO-92MOD 标准包装:1 2SC5536A-TL-H 功能描述:TRANS NPN BIPO 50MA 12V SSFP 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:12V 频率 - 跃迁:1.7GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:1.8dB @ 150MHz 增益:16dB 功率 - 最大值:100mW 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:80 @ 3mA，2V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:50mA 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-81 供应商器件封装:3-SSFP 标准包装:8,000 2SC5509-T2-A 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-343F 制造商:cel 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:3.3V 频率 - 跃迁:15GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:1.2dB @ 2GHz 增益:14dB 功率 - 最大值:190mW 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:50 @ 10mA，2V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 安装类型:表面贴装封装/外壳:SOT-343F 供应商器件封装:SOT-343 标准包装:1 2SC5509-A 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-343F 制造商:cel 系列:- 包装:剪带零件状态:有效晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:3.3V 频率 - 跃迁:15GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:1.2dB @ 2GHz 增益:14dB 功率 - 最大值:190mW 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:50 @ 10mA，2V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 安装类型:表面贴装封装/外壳:SOT-343F 供应商器件封装:- 标准包装:1 2SC5646A-TL-H 2SC565400L 2SC5654G0L 2SC5658M3T5G 2SC5658RM3T5G 2SC5658T2LQ 2SC5658T2LR 2SC5658T2LS 2SC5659T2LN 2SC5659T2LP 2SC5661T2LP 2SC5662T2LN 2SC5662T2LP 2SC5663T2L 2SC5706-E 2SC5706-H 2SC5706-P-E 2SC5706-P-TL-E