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2SC6075

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制造商
TOSHIBA
制造商全称
Toshiba Semiconductor
功能描述
Silicon NPN Epitaxial Type

2SC6075 技术参数

2SC6054J0L 功能描述:TRANS NPN 50V 0.1A SSMINI-3 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100μA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:160 @ 2mA，10V 功率 - 最大值:125mW 频率 - 跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-89，SOT-490 供应商器件封装:SS迷你型3-F1 标准包装:1 2SC6054G0L 功能描述:TRANS NPN 50V 0.1A SSMINI-3 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100μA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:160 @ 2mA，10V 功率 - 最大值:125mW 频率 - 跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-89，SOT-490 供应商器件封装:SS迷你型3-F3 标准包装:1 2SC6043-AE 功能描述:TRANS NPN 50V 2A MP 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:2A 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 50mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:1μA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:200 @ 100mA，2V 功率 - 最大值:1W 频率 - 跃迁:420MHz 安装类型:通孔封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）供应商器件封装:3-MP 标准包装:1 2SC6043 功能描述:TRANS NPN 50V 2A MP 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:Not Recommended For New Designs 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:2A 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 50mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:1μA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:200 @ 100mA，2V 功率 - 最大值:1W 频率 - 跃迁:420MHz 安装类型:通孔封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 长体供应商器件封装:3-MP 标准包装:500 2SC6042,T2WNLQ(J 功能描述:TRANS NPN 1A 375V SC71 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:散装零件状态:停產晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:1A 电压 - 集射极击穿（最大值）:375V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1V @ 100mA，800mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100μA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:100 @ 100mA，5V 功率 - 最大值:1W 频率 - 跃迁:- 工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:SC-71 供应商器件封装:MSTM 标准包装:1 2SC6097-E 2SC6097-TL-E 2SC6098-E 2SC6098-TL-E 2SC6099-E 2SC6099-TL-E 2SC6114T2LQ 2SC6114T2LR 2SC6139,T2F(M 2SC6144 2SC6144SG 2SC6145 2SC6145A 2SCR293P5T100 2SCR293PFRAT100 2SCR293PT100 2SCR346PT100P 2SCR346PT100Q