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2SD106AI-17 UL

配单专家企业名单
  • 型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装
  • 批号
  • 价格
  • 说明
  • 操作
  • 2SD106AI-17 UL
    2SD106AI-17 UL

    2SD106AI-17 UL

  • 深圳市思诺康科技有限公司
    深圳市思诺康科技有限公司

    联系人:张小姐/Vivianvi

    电话:0755-83276452

    地址:坂田坂雪岗大道中兴路105号儒骏大厦5楼503室

  • 253

  • Power Integrations

  • Module

  • 21+

  • -
  • 全新原装

  • 2SD106AI-17 UL
    2SD106AI-17 UL

    2SD106AI-17 UL

  • 万三科技(深圳)有限公司
    万三科技(深圳)有限公司

    联系人:王俊杰

    电话:188185984650755-23763516

    地址:深圳市龙华区民治街道新牛社区金地梅陇镇9栋4单元14C

  • 6500000

  • Power Integrations

  • 原厂原装

  • 22+

  • -
  • 万三科技 秉承原装 实单可议

  • 2SD106AI-17 UL
    2SD106AI-17 UL

    2SD106AI-17 UL

  • 深圳市轩盛达电子有限公司
    深圳市轩盛达电子有限公司

    联系人:

    电话:1588932848313924772445

    地址:深圳市福田区华强北街道深南中路3006号佳和华强大厦五楼5C103

  • 10000

  • -
  • 原厂原装现货,代找紧缺料

  • 2SD106AI-17 UL
    2SD106AI-17 UL

    2SD106AI-17 UL

  • 万三科技(深圳)有限公司
    万三科技(深圳)有限公司

    联系人:张国龙

    电话:177226252410755-21008751

    地址:深圳市龙华区民治街道新牛社区金地梅陇镇9栋4单元14C

  • 6500000

  • Power Integrations

  • 原厂原装

  • 22+

  • -
  • 万三科技 秉承原装 实单可议

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  • 1
2SD106AI-17 UL PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
  • 功能描述
  • IC DUAL GATE DRIVER 6A
  • 制造商
  • power integrations
  • 系列
  • SCALE?-1
  • 包装
  • 托盘
  • 零件状态
  • 不適用於新設計
  • 驱动配置
  • 半桥
  • 通道类型
  • -
  • 驱动器数
  • 2
  • 栅极类型
  • IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET
  • 电压 - 电源
  • 15V
  • 逻辑电压?- VIL,VIH
  • -
  • 电流 - 峰值输出(灌入,拉出)
  • 6A,6A
  • 输入类型
  • -
  • 上升/下降时间(典型值)
  • 100ns,80ns
  • 工作温度
  • -40°C ~ 85°C(TA)
  • 安装类型
  • 表面贴装
  • 封装/外壳
  • 模块
  • 供应商器件封装
  • 模块
  • 标准包装
  • 25
2SD106AI-17 UL 技术参数
  • 2SD1060S-JKH-1E 功能描述:TRANS NPN 5A 50V 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 晶体管类型:- 电流 - 集电极(Ic)(最大值):- 电压 - 集射极击穿(最大值):- 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):- 电流 - 集电极截止(最大值):- 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):- 功率 - 最大值:- 频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220-3 标准包装:50 2SD1060S-1EX 功能描述:TRANS NPN 50V 5A 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:管件 零件状态:Not Recommended For New Designs 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):5A 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 300mA,3A 电流 - 集电极截止(最大值):100μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):140 @ 1A,2V 功率 - 最大值:1.75W 频率 - 跃迁:30MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220-3 标准包装:50 2SD1060S-1E 功能描述:TRANS NPN 50V 5A 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):5A 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 300mA,3A 电流 - 集电极截止(最大值):100μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):140 @ 1A,2V 功率 - 最大值:1.75W 频率 - 跃迁:30MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220-3 标准包装:50 2SD1060R-1EX 功能描述:TRANS NPN 50V 5A 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:管件 零件状态:Not Recommended For New Designs 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):5A 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 300mA,3A 电流 - 集电极截止(最大值):100μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):100 @ 1A,2V 功率 - 最大值:1.75W 频率 - 跃迁:30MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220-3 标准包装:50 2SD1060R-1E 功能描述:TRANS NPN 50V 5A 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):5A 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 300mA,3A 电流 - 集电极截止(最大值):100μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):100 @ 1A,2V 功率 - 最大值:1.75W 频率 - 跃迁:30MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220-3 标准包装:50 2SD1207U 2SD12110R 2SD12110S 2SD1221-Y(Q) 2SD12630P 2SD1263AQ 2SD1264AP 2SD12660P 2SD1266AP 2SD12670P 2SD1267AP 2SD12680P 2SD12690P 2SD12700P 2SD12710P 2SD1271AP 2SD12720P 2SD12750P
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