2SD106AI-UL

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2SD106AI-UL 技术参数

2SD106AI-17 UL 功能描述:IC DUAL GATE DRIVER 6A 制造商:power integrations 系列:SCALE?-1 包装:托盘零件状态:不適用於新設計驱动配置:半桥通道类型:- 驱动器数:2 栅极类型:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET 电压 - 电源:15V 逻辑电压?- VIL，VIH:- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:6A，6A 输入类型:- 上升/下降时间（典型值）:100ns，80ns 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）安装类型:表面贴装封装/外壳:模块供应商器件封装:模块标准包装:25 2SD1060S-JKH-1E 功能描述:TRANS NPN 5A 50V 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:管件零件状态:有效晶体管类型:- 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:- 电压 - 集射极击穿（最大值）:- 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:- 电流 - 集电极截止（最大值）:- 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:- 功率 - 最大值:- 频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220-3 标准包装:50 2SD1060S-1EX 功能描述:TRANS NPN 50V 5A 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:管件零件状态:Not Recommended For New Designs 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:5A 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 300mA，3A 电流 - 集电极截止（最大值）:100μA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:140 @ 1A，2V 功率 - 最大值:1.75W 频率 - 跃迁:30MHz 安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220-3 标准包装:50 2SD1060S-1E 功能描述:TRANS NPN 50V 5A 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:管件零件状态:有效晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:5A 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 300mA，3A 电流 - 集电极截止（最大值）:100μA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:140 @ 1A，2V 功率 - 最大值:1.75W 频率 - 跃迁:30MHz 安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220-3 标准包装:50 2SD1060R-1EX 功能描述:TRANS NPN 50V 5A 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:管件零件状态:Not Recommended For New Designs 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:5A 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 300mA，3A 电流 - 集电极截止（最大值）:100μA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:100 @ 1A，2V 功率 - 最大值:1.75W 频率 - 跃迁:30MHz 安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220-3 标准包装:50 2SD1207U 2SD12110R 2SD12110S 2SD1221-Y(Q) 2SD12630P 2SD1263AQ 2SD1264AP 2SD12660P 2SD1266AP 2SD12670P 2SD1267AP 2SD12680P 2SD12690P 2SD12700P 2SD12710P 2SD1271AP 2SD12720P 2SD12750P