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2SD17050P

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  • 功能描述
  • TRANS NPN 80VCEO 10A TOP-3F
  • RoHS
  • 类别
  • 分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路
  • 系列
  • -
  • 标准包装
  • 1
  • 系列
  • -
  • 晶体管类型
  • NPN
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)
  • 1A
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)
  • 30V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)
  • 200mV @ 100mA,1A
  • 电流 - 集电极截止(最大)
  • 100nA
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)
  • 300 @ 500mA,5V
  • 功率 - 最大
  • 710mW
  • 频率 - 转换
  • 100MHz
  • 安装类型
  • 表面贴装
  • 封装/外壳
  • TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商设备封装
  • SOT-23-3(TO-236)
  • 包装
  • Digi-Reel®
  • 其它名称
  • MMBT489LT1GOSDKR
2SD17050P 技术参数
  • 2SD1685G 功能描述:TRANS NPN 20V 5A TO-126ML 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):5A 电压 - 集射极击穿(最大值):20V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):500mV @ 60mA,3A 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):280 @ 500mA,2V 功率 - 最大值:1.5W 频率 - 跃迁:120MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-225AA,TO-126-3 供应商器件封装:TO-126ML 标准包装:200 2SD1685F 功能描述:TRANS NPN 20V 5A TO-126 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:散装 零件状态:Not Recommended For New Designs 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):5A 电压 - 集射极击穿(最大值):20V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):500mV @ 60mA,3A 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):160 @ 500mA,2V 功率 - 最大值:1.5W 频率 - 跃迁:120MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-225AA,TO-126-3 供应商器件封装:TO-126ML 标准包装:200 2SD1683T 功能描述:TRANS NPN 50V 4A TO-126ML 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):4A 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):500mV @ 100mA,2A 电流 - 集电极截止(最大值):1μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):100 @ 100mA,2V 功率 - 最大值:1.5W 频率 - 跃迁:150MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-225AA,TO-126-3 供应商器件封装:TO-126ML 标准包装:200 2SD1683S 功能描述:TRANS NPN 50V 4A TO-126ML 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:散装 零件状态:Not Recommended For New Designs 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):4A 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):500mV @ 100mA,2A 电流 - 集电极截止(最大值):1μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):100 @ 100mA,2V 功率 - 最大值:1.5W 频率 - 跃迁:150MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-225AA,TO-126-3 供应商器件封装:TO-126ML 标准包装:200 2SD1664T100R 功能描述:TRANS NPN 32V 1A SOT-89 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:停产 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):1A 电压 - 集射极击穿(最大值):32V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):400mV @ 50mA,500mA 电流 - 集电极截止(最大值):500nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):180 @ 100mA,3V 功率 - 最大值:2W 频率 - 跃迁:150MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:MPT3 标准包装:1 2SD1758TLR 2SD1759TL 2SD1760TLP 2SD1760TLQ 2SD1760TLR 2SD1763AE 2SD1766T100P 2SD1766T100Q 2SD1766T100R 2SD1767T100Q 2SD1767T100R 2SD1768STPQ 2SD1768STPR 2SD1773 2SD1781KT146Q 2SD1781KT146R 2SD1782KT146Q 2SD1782KT146R
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