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2SD1801T-TR

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2SD1801T-TR 技术参数
  • 2SD1801T-TL-E 功能描述:TRANS NPN 50V 2A TP-FA 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):2A 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):400mV @ 50mA,1A 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):100 @ 100mA,2V 功率 - 最大值:800mW 频率 - 跃迁:150MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 供应商器件封装:2-TP-FA 标准包装:700 2SD1801T-E 功能描述:TRANS NPN 50V 2A TP-FA 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):2A 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):400mV @ 50mA,1A 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):200 @ 100mA,2V 功率 - 最大值:800mW 频率 - 跃迁:150MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 供应商器件封装:2-TP-FA 标准包装:700 2SD1801S-TL-E 功能描述:TRANS NPN 50V 2A TP-FA 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):2A 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):400mV @ 50mA,1A 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):100 @ 100mA,2V 功率 - 最大值:800mW 频率 - 跃迁:150MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 供应商器件封装:2-TP-FA 标准包装:700 2SD1801S-E 功能描述:TRANS NPN 50V 2A TP 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):2A 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):400mV @ 50mA,1A 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):140 @ 100mA,2V 功率 - 最大值:800mW 频率 - 跃迁:150MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA 供应商器件封装:TP 标准包装:500 2SD1796 功能描述:TRANS NPN DARL 60V 4A TO220F 制造商:sanken 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 晶体管类型:NPN - 达林顿 电流 - 集电极(Ic)(最大值):4A 电压 - 集射极击穿(最大值):60V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):1.5V @ 10mA,3A 电流 - 集电极截止(最大值):10μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):2000 @ 3A,4V 功率 - 最大值:25W 频率 - 跃迁:60MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商器件封装:TO-220F 标准包装:50 2SD1803T-H 2SD1803T-TL-E 2SD1803T-TL-H 2SD1805F-E 2SD1805F-TL-E 2SD1805G-E 2SD1805G-TL-E 2SD1815S-E 2SD1815S-H 2SD1815S-TL-E 2SD1815S-TL-H 2SD1815T-E 2SD1815T-H 2SD1815T-TL-E 2SD1815T-TL-H 2SD1816S-E 2SD1816S-H 2SD1816S-TL-E
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