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2SD1815STL

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2SD1815STL 技术参数
  • 2SD1815S-H 功能描述:TRANS NPN 100V 3A TP 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):3A 电压 - 集射极击穿(最大值):100V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):400mV @ 150mA,1.5A 电流 - 集电极截止(最大值):1μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):140 @ 500mA,5V 功率 - 最大值:1W 频率 - 跃迁:180MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA 供应商器件封装:TP 标准包装:500 2SD1815S-E 功能描述:TRANS NPN 100V 3A TP 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):3A 电压 - 集射极击穿(最大值):100V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):400mV @ 150mA,1.5A 电流 - 集电极截止(最大值):1μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):70 @ 500mA,5V 功率 - 最大值:1W 频率 - 跃迁:180MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA 供应商器件封装:TP 标准包装:500 2SD1805G-TL-E 功能描述:TRANS NPN 20V 5A TP-FA 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):5A 电压 - 集射极击穿(最大值):20V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):500mV @ 60mA,3A 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):280 @ 500mA,2V 功率 - 最大值:1W 频率 - 跃迁:120MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 供应商器件封装:2-TP-FA 标准包装:700 2SD1805G-E 功能描述:TRANS NPN 20V 5A TP 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):5A 电压 - 集射极击穿(最大值):20V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):500mV @ 60mA,3A 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):280 @ 500mA,2V 功率 - 最大值:1W 频率 - 跃迁:120MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA 供应商器件封装:TP 标准包装:500 2SD1805F-TL-E 功能描述:TRANS NPN 20V 5A TP-FA 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):5A 电压 - 集射极击穿(最大值):20V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):500mV @ 60mA,3A 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):160 @ 500mA,2V 功率 - 最大值:1W 频率 - 跃迁:120MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 供应商器件封装:2-TP-FA 标准包装:700 2SD1816S-TL-H 2SD1816T-E 2SD1816T-H 2SD1816T-TL-E 2SD1816T-TL-H 2SD1819A0L 2SD1819AQL 2SD1819ARL 2SD1819ASL 2SD1819G0L 2SD1819GQL 2SD1819GRL 2SD1819GSL 2SD18200RL 2SD1820A0L 2SD1820ARL 2SD1820G0L 2SD1820GRL
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