2SD1819/ZR

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2SD1819/ZR 技术参数

2SD1816T-TL-H 功能描述:TRANS NPN 100V 4A TP-FA 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:4A 电压 - 集射极击穿（最大值）:100V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:400mV @ 200mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:1μA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:200 @ 500mA，5V 功率 - 最大值:1W 频率 - 跃迁:180MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 供应商器件封装:2-TP-FA 标准包装:1 2SD1816T-TL-E 功能描述:TRANS NPN 100V 4A TP-FA 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:4A 电压 - 集射极击穿（最大值）:100V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:400mV @ 200mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:1μA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:200 @ 500mA，5V 功率 - 最大值:1W 频率 - 跃迁:180MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 供应商器件封装:2-TP-FA 标准包装:700 2SD1816T-H 功能描述:TRANS NPN 100V 4A TP 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:有效晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:4A 电压 - 集射极击穿（最大值）:100V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:400mV @ 200mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:1μA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:200 @ 500mA，5V 功率 - 最大值:1W 频率 - 跃迁:180MHz 安装类型:通孔封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA 供应商器件封装:TP 标准包装:500 2SD1816T-E 功能描述:TRANS NPN 100V 4A TP 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:有效晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:4A 电压 - 集射极击穿（最大值）:100V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:400mV @ 200mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:1μA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:200 @ 500mA，5V 功率 - 最大值:1W 频率 - 跃迁:180MHz 安装类型:通孔封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA 供应商器件封装:TP 标准包装:500 2SD1816S-TL-H 功能描述:TRANS NPN 100V 4A TP-FA 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:4A 电压 - 集射极击穿（最大值）:100V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:400mV @ 200mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:1μA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:140 @ 500mA，5V 功率 - 最大值:1W 频率 - 跃迁:180MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 供应商器件封装:2-TP-FA 标准包装:700 2SD1820A0L 2SD1820ARL 2SD1820G0L 2SD1820GRL 2SD18210RL 2SD18230RL 2SD1823GRL 2SD18240RL 2SD18240SL 2SD1824GRL 2SD1824GSL 2SD1834T100 2SD1835S 2SD1835S-AA 2SD1835T 2SD1835T-AA 2SD1857ATV2P 2SD1857ATV2Q