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2SD1994ASA

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  • 功能描述
  • TRANS NPN LF AMP 50VCEO MT-2
  • RoHS
  • 类别
  • 分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路
  • 系列
  • -
  • 标准包装
  • 1
  • 系列
  • -
  • 晶体管类型
  • NPN
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)
  • 1A
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)
  • 30V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)
  • 200mV @ 100mA,1A
  • 电流 - 集电极截止(最大)
  • 100nA
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)
  • 300 @ 500mA,5V
  • 功率 - 最大
  • 710mW
  • 频率 - 转换
  • 100MHz
  • 安装类型
  • 表面贴装
  • 封装/外壳
  • TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商设备封装
  • SOT-23-3(TO-236)
  • 包装
  • Digi-Reel®
  • 其它名称
  • MMBT489LT1GOSDKR
2SD1994ASA 技术参数
  • 2SD1994ARA 功能描述:TRANS NPN 50V 1A MT-2 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):1A 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):400mV @ 50mA,500mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):120 @ 500mA,10V 功率 - 最大值:1W 频率 - 跃迁:200MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:3-SIP 供应商器件封装:MT-2-A1 标准包装:1 2SD1992A0A 功能描述:TRANS NPN 50V 0.5A MT-1 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):500mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):600mV @ 30mA,300mA 电流 - 集电极截止(最大值):1μA 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):85 @ 10mA,10V 功率 - 最大值:600mW 频率 - 跃迁:200MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:3-SIP 供应商器件封装:MT-1-A1 标准包装:1 2SD1991ARA 功能描述:TRANS NPN 50V 0.1A MT-1 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 10mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):1μA 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):210 @ 2mA,10V 功率 - 最大值:400mW 频率 - 跃迁:150MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:3-SIP 供应商器件封装:MT-1-A1 标准包装:1 2SD1991A0A 功能描述:TRANS NPN 50V 0.1A MT-1 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):100mA 电压 - 集射极击穿(最大值):50V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 10mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值):1μA 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):160 @ 2mA,10V 功率 - 最大值:400mW 频率 - 跃迁:150MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:3-SIP 供应商器件封装:MT-1-A1 标准包装:1 2SD1980TL 功能描述:TRANS NPN DARL 100V 2A SOT-428 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 晶体管类型:NPN - 达林顿 电流 - 集电极(Ic)(最大值):2A 电压 - 集射极击穿(最大值):100V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):1.5V @ 1mA,1A 电流 - 集电极截止(最大值):10μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):1000 @ 1A,2V 功率 - 最大值:10W 频率 - 跃迁:- 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 供应商器件封装:CPT3 标准包装:1 2SD2018 2SD2033AT114E 2SD2045 2SD20640S 2SD20670RA 2SD2081 2SD2082 2SD2083 2SD2096T114E 2SD2097TV2Q 2SD2097TV2R 2SD2098T100R 2SD2098T100S 2SD2114KT146V 2SD2114KT146W 2SD2118TLQ 2SD2118TLR 2SD2129,ALPSQ(M
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