2SD2014.

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2SD2014. 技术参数

2SD2014 功能描述:TRANS NPN DARL 80V 4A TO220F 制造商:sanken 系列:- 包装:散装零件状态:有效晶体管类型:NPN - 达林顿电流 - 集电极（Ic）（最大值）:4A 电压 - 集射极击穿（最大值）:80V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 3mA，3A 电流 - 集电极截止（最大值）:10μA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:2000 @ 3A，2V 功率 - 最大值:25W 频率 - 跃迁:75MHz 安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 整包供应商器件封装:TO-220F 标准包装:50 2SD2012 功能描述:TRANS NPN 60V 3A TO-220F 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:管件零件状态:过期晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:3A 电压 - 集射极击穿（最大值）:60V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1V @ 200mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:100μA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:100 @ 500mA，5V 功率 - 最大值:25W 频率 - 跃迁:3MHz 安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 整包供应商器件封装:TO-220F 标准包装:50 2SD20000P 功能描述:TRANS NPN 60V 4A TO-220F 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包装:散装零件状态:过期晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:4A 电压 - 集射极击穿（最大值）:60V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 400mA，4A 电流 - 集电极截止（最大值）:100μA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:120 @ 1A，4V 功率 - 最大值:2W 频率 - 跃迁:80MHz 安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 整包供应商器件封装:TO-220F-A1 标准包装:500 2SD19960TA 功能描述:TRANS NPN 20V 0.5A MT-1 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:20V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:400mV @ 20mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:400 @ 500mA，2V 功率 - 最大值:600mW 频率 - 跃迁:200MHz 安装类型:通孔封装/外壳:3-SIP 供应商器件封装:MT-1-A1 标准包装:1 2SD19960SA 功能描述:TRANS NPN 20V 0.5A MT-1 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:20V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:400mV @ 20mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:300 @ 500mA，2V 功率 - 最大值:600mW 频率 - 跃迁:200MHz 安装类型:通孔封装/外壳:3-SIP 供应商器件封装:MT-1-A1 标准包装:1 2SD2082 2SD2083 2SD2096T114E 2SD2097TV2Q 2SD2097TV2R 2SD2098T100R 2SD2098T100S 2SD2114KT146V 2SD2114KT146W 2SD2118TLQ 2SD2118TLR 2SD2129,ALPSQ(M 2SD2129,LS4ALPSQ(M 2SD21330RA 2SD21330SA 2SD21340RA 2SD21360QA 2SD21360RA