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2SD2053S

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  • 功能描述
  • TRANSISTOR | BJT | NPN | 150V V(BR)CEO | 9A I(C) | TO-247VAR
2SD2053S 技术参数
  • 2SD2045 功能描述:TRANS NPN DARL 120V 6A TO3PF 制造商:sanken 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 晶体管类型:NPN - 达林顿 电流 - 集电极(Ic)(最大值):6A 电压 - 集射极击穿(最大值):120V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):1.5V @ 3mA,3A 电流 - 集电极截止(最大值):10μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):2000 @ 3A,2V 功率 - 最大值:50W 频率 - 跃迁:50MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-3P-3 整包 供应商器件封装:TO-3PF 标准包装:1,080 2SD2033AT114E 功能描述:TRANS NPN 160V 1.5A HRT/TO-220FP 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):1.5A 电压 - 集射极击穿(最大值):160V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):2V @ 100mA,1A 电流 - 集电极截止(最大值):1μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):100 @ 100mA,5V 功率 - 最大值:1.8W 频率 - 跃迁:80MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:HRT 供应商器件封装:HRT 标准包装:1 2SD2018 功能描述:TRANS NPN DARL 60V 1A TO-126 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包装:散装 零件状态:过期 晶体管类型:NPN - 达林顿 电流 - 集电极(Ic)(最大值):1A 电压 - 集射极击穿(最大值):60V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):1.8V @ 1mA,1A 电流 - 集电极截止(最大值):1μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):6500 @ 1A,10V 功率 - 最大值:5W 频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-225AA,TO-126-3 供应商器件封装:TO-126B-A1 标准包装:1,000 2SD2017 功能描述:TRANS NPN DARL 250V 6A TO220F 制造商:sanken 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 晶体管类型:NPN - 达林顿 电流 - 集电极(Ic)(最大值):6A 电压 - 集射极击穿(最大值):250V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):1.5V @ 2mA,2A 电流 - 集电极截止(最大值):100μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):2000 @ 2A,2V 功率 - 最大值:35W 频率 - 跃迁:20MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商器件封装:TO-220F 标准包装:50 2SD2016 功能描述:TRANS NPN DARL 200V 3A TO220F 制造商:sanken 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 晶体管类型:NPN - 达林顿 电流 - 集电极(Ic)(最大值):3A 电压 - 集射极击穿(最大值):200V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):1.5V @ 1.5mA,1A 电流 - 集电极截止(最大值):10μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):1000 @ 1A,4V 功率 - 最大值:25W 频率 - 跃迁:90MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商器件封装:TO-220F 标准包装:50 2SD2098T100S 2SD2114KT146V 2SD2114KT146W 2SD2118TLQ 2SD2118TLR 2SD2129,ALPSQ(M 2SD2129,LS4ALPSQ(M 2SD21330RA 2SD21330SA 2SD21340RA 2SD21360QA 2SD21360RA 2SD2137APA 2SD2138APA 2SD2138AQA 2SD21390PA 2SD2141 2SD2142KT146
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