2SD2067R-(TA)

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2SD2067R-(TA) 技术参数

2SD20670RA 功能描述:TRANS NPN 100V 2A MT-2 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期晶体管类型:NPN - 达林顿电流 - 集电极（Ic）（最大值）:2A 电压 - 集射极击穿（最大值）:100V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 1mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:8000 @ 1A，10V 功率 - 最大值:1W 频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔封装/外壳:3-SIP 供应商器件封装:MT-2-A1 标准包装:1 2SD20640S 功能描述:TRANS NPN 120V 6A TOP-3F 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包装:散装零件状态:过期晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:6A 电压 - 集射极击穿（最大值）:120V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:2V @ 400mA，4A 电流 - 集电极截止（最大值）:50μA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:80 @ 1A，5V 功率 - 最大值:3W 频率 - 跃迁:20MHz 安装类型:通孔封装/外壳:TOP-3F 供应商器件封装:TOP-3F-A1 标准包装:40 2SD2045 功能描述:TRANS NPN DARL 120V 6A TO3PF 制造商:sanken 系列:- 包装:散装零件状态:有效晶体管类型:NPN - 达林顿电流 - 集电极（Ic）（最大值）:6A 电压 - 集射极击穿（最大值）:120V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1.5V @ 3mA，3A 电流 - 集电极截止（最大值）:10μA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:2000 @ 3A，2V 功率 - 最大值:50W 频率 - 跃迁:50MHz 安装类型:通孔封装/外壳:TO-3P-3 整包供应商器件封装:TO-3PF 标准包装:1,080 2SD2033AT114E 功能描述:TRANS NPN 160V 1.5A HRT/TO-220FP 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:1.5A 电压 - 集射极击穿（最大值）:160V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:2V @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:1μA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:100 @ 100mA，5V 功率 - 最大值:1.8W 频率 - 跃迁:80MHz 安装类型:通孔封装/外壳:HRT 供应商器件封装:HRT 标准包装:1 2SD2018 功能描述:TRANS NPN DARL 60V 1A TO-126 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包装:散装零件状态:过期晶体管类型:NPN - 达林顿电流 - 集电极（Ic）（最大值）:1A 电压 - 集射极击穿（最大值）:60V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1.8V @ 1mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:1μA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:6500 @ 1A，10V 功率 - 最大值:5W 频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔封装/外壳:TO-225AA，TO-126-3 供应商器件封装:TO-126B-A1 标准包装:1,000 2SD2114KT146W 2SD2118TLQ 2SD2118TLR 2SD2129,ALPSQ(M 2SD2129,LS4ALPSQ(M 2SD21330RA 2SD21330SA 2SD21340RA 2SD21360QA 2SD21360RA 2SD2137APA 2SD2138APA 2SD2138AQA 2SD21390PA 2SD2141 2SD2142KT146 2SD2143TL 2SD2144STPU