2SD2695(T6CANO,A,F

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说明
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2SD2695(T6CANO,A,F
上海鑫科润电子科技有限公司
上海鑫科润电子科技有限公司
联系人：鑫科润
电话：185210072361851602286718516022897
地址：上海徐汇区中山南二路1007号
16000
Toshiba Semiconductor and
原厂封装
17+
-
全新原装现货

2SD2695(T6CANO,A,F
深圳市科翼源电子有限公司
深圳市科翼源电子有限公司
联系人：朱小姐
电话：13510998172
地址：振华路100号深纺大厦C座2楼E16
资质：营业执照
24922
TOSHIBA/东芝
TO-92MOD
21+
-
原厂原装现货

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1

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功能描述
TRANS NPN 2A 60V TO226-3
制造商
toshiba semiconductor and storage
系列
-
包装
散装
零件状态
停產
晶体管类型
NPN
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
2A
电压 - 集射极击穿（最大值）
60V
不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）
1.5V @ 1mA，1A
电流 - 集电极截止（最大值）
10μA（ICBO）
不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）
2000 @ 1A，2V
功率 - 最大值
900mW
频率 - 跃迁
100MHz
工作温度
150°C（TJ）
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-226-3，TO-92-3 长体
供应商器件封装
TO-92MOD
标准包装
1

2SD2695(T6CANO,A,F 技术参数

2SD2679T100 功能描述:TRANS NPN 30V 2A MPT3 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:Not Recommended For New Designs 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:2A 电压 - 集射极击穿（最大值）:30V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:370mV @ 75mA，1.5A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:270 @ 200mA，2V 功率 - 最大值:500mW 频率 - 跃迁:280MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:MPT3 标准包装:1,000 2SD2675TL 功能描述:TRANS NPN 30V 1A TSMT3 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:1A 电压 - 集射极击穿（最大值）:30V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:350mV @ 25mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:270 @ 100mA，2V 功率 - 最大值:500mW 频率 - 跃迁:320MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-96 供应商器件封装:TSMT3 标准包装:1 2SD2674TL 功能描述:TRANS NPN 12V 1.5A TSMT3 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:停产晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:1.5A 电压 - 集射极击穿（最大值）:12V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:200mV @ 25mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:270 @ 200mA，2V 功率 - 最大值:1W 频率 - 跃迁:400MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-96 供应商器件封装:TSMT3 标准包装:1 2SD2673TL 功能描述:TRANS NPN 30V 3A TSMT 3 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:停产晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:3A 电压 - 集射极击穿（最大值）:30V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 30mA，1.5A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:270 @ 200mA，2V 功率 - 最大值:1W 频率 - 跃迁:200MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-96 供应商器件封装:TSMT3 标准包装:1 2SD2672TL 功能描述:TRANS NPN 12V 4A TSMT3 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:4A 电压 - 集射极击穿（最大值）:12V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 40mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:270 @ 200mA，2V 功率 - 最大值:500mW 频率 - 跃迁:250MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-96 供应商器件封装:TSMT3 标准包装:3,000 2SD2704KT146 2SD2705STP 2SD2707T2LV 2SD300C17A1 2SD300C17A2 2SD300C17A3 2SD300C17A4 2SD315AI 2SD315AI UL 2SD315AI-25 2SD315AI-33 2SD316EI-12 2SD316EI-17 2SD882 2SE156-3 2SE157-3 2SE321 2SE323