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2SK1859-E

配单专家企业名单
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  • 2SK1859-E
    2SK1859-E

    2SK1859-E

  • 深圳市琦凌凯科技有限公司
    深圳市琦凌凯科技有限公司

    联系人:彭先生

    电话:1331648214918276240346

    地址:深圳市福田区华强北街道荔村社区振兴路120号赛格科技园4栋中10层10A19

    资质:营业执照

  • 6000

  • RENESAS/瑞萨

  • TO-3P

  • 22+

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  • 十年配单,只做原装

  • 2SK1859-E
    2SK1859-E

    2SK1859-E

  • 深圳廊盛科技有限公司
    深圳廊盛科技有限公司

    联系人:李小姐

    电话:18229386512

    地址:上步工业区501栋410室

  • 20000

  • RENESAS/瑞萨

  • TO-247

  • 23+

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  • 原装正品 欢迎咨询

  • 2SK1859-E
    2SK1859-E

    2SK1859-E

  • 上海鑫科润电子科技有限公司
    上海鑫科润电子科技有限公司

    联系人:鑫科润

    电话:185210072361851602286718516022897

    地址:上海徐汇区中山南二路1007号

  • 50000

  • Renesas Electronics Ameri

  • TO-3P

  • 17+

  • -
  • 全新原装现货

  • 2SK1859-E
    2SK1859-E

    2SK1859-E

  • 深圳诚思涵科技有限公司
    深圳诚思涵科技有限公司

    联系人:朱先生

    电话:0755-830155062394723615820783671

    地址:深圳市福田区华强北路上步工业区101栋518室

  • 32363

  • Renesas

  • TO-3P

  • 16+

  • -
  • 代理品牌,全新原装现货!

  • 2SK1859-E
    2SK1859-E

    2SK1859-E

  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人:朱先生/李小姐

    电话:0755-2394163213723794312(微信同号)

    地址:广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。

  • 865000

  • Renesas

  • TO-3P

  • 最新批号

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  • 代理此型号,原装正品现货!

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  • 制造商
  • Renesas Electronics Corporation
  • 功能描述
  • Trans MOSFET N-CH 900V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-3PFM
  • 制造商
  • Renesas Electronics Corporation
  • 功能描述
  • MOSFET - PB FREE - Rail/Tube
  • 制造商
  • Renesas Electronics Corporation
  • 功能描述
  • MOSFET N-CH 900V 6A TO-3P
  • 制造商
  • Renesas Electronics Corporation
  • 功能描述
  • SILICON N CHANNEL MOS FET*NIC*
2SK1859-E 技术参数
  • 2SK1835-E 功能描述:MOSFET N-CH 1500V 4A TO-3P 制造商:renesas electronics america 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):1500V(1.5kV) 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):4A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):7 欧姆 @ 2A,15V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):- 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1700pF @ 10V 功率 - 最大值:125W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-3P-3,SC-65-3 供应商器件封装:TO-3P 标准包装:1 2SK1829TE85LF 功能描述:MOSFET N-CH 20V 0.05A USM 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极,2.5V 驱动 漏源极电压(Vdss):20V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):50mA(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):40欧姆 @ 10mA,2.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):- 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):5.5pF @ 3V 功率 - 最大值:100mW 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-70,SOT-323 供应商器件封装:SC-70 标准包装:1 2SK1828TE85LF 功能描述:MOSFET N-CH 20V 50MA S-MINI 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极,2.5V 驱动 漏源极电压(Vdss):20V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):50mA(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):40欧姆 @ 10mA,2.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 100μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):- 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):5.5pF @ 3V 功率 - 最大值:200mW 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SC-59 标准包装:1 2SK1775-E 功能描述:MOSFET N-CH 900V 8A TO-3P 制造商:renesas electronics america 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):900V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):8A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):1.6 欧姆 @ 4A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):- 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1730pF @ 10V 功率 - 最大值:60W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-3P-3,SC-65-3 供应商器件封装:TO-3P 标准包装:1 2SK1518-E 功能描述:MOSFET N-CH 500V 20A TO3P 制造商:renesas electronics america 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):500V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):20A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):270 毫欧 @ 10A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):- 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):3050pF @ 10V 功率 - 最大值:120W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-3P-3,SC-65-3 供应商器件封装:TO-3P 标准包装:1 2SK209-BL(TE85L,F) 2SK209-GR(TE85L,F) 2SK209-Y(TE85L,F) 2SK2103T100 2SK2145-BL(TE85L,F 2SK2145-GR(TE85L,F 2SK2145-Y(TE85L,F) 2SK221100L 2SK2221-E 2SK2225-E 2SK2231(TE16L1,NQ) 2SK2231(TE16R1,NQ) 2SK2266(TE24R,Q) 2SK2299N 2SK2315TYTR-E 2SK2376(Q) 2SK23800QL 2SK2394-6-TB-E
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