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2SK2095N

配单专家企业名单
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  • 2SK2095N
    2SK2095N

    2SK2095N

  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
    深圳市毅创辉电子科技有限公司

    联系人：雷春艳

    电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697

    地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室

    资质：营业执照

  • 1000

  • ST

  • TO-220

  • 03+

  • -

  • 全新原装现货

  • 2SK2095N
    2SK2095N

    2SK2095N

  • 深圳市琦凌凯科技有限公司
    深圳市琦凌凯科技有限公司

    联系人：彭先生

    电话：1331648214918276240346

    地址：深圳市福田区华强北街道荔村社区振兴路120号赛格科技园4栋中10层10A19

    资质：营业执照

  • 6000

  • ROHM/罗姆

  • TO-220FN

  • 22+

  • -

  • 十年配单，只做原装

  • 2SK2095N
    2SK2095N

    2SK2095N

  • 北京元坤伟业科技有限公司
    北京元坤伟业科技有限公司

    联系人：刘先生

    电话：010-6210479162106431621045786210493162104891

    地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室

    资质：营业执照

  • 5000

  • ROHM

  • TO-220F

  • 三极管系列

  • -

  • 假一罚十，百分百原装正品

  • 2SK2095N
    2SK2095N

    2SK2095N

  • 上海鑫科润电子科技有限公司
    上海鑫科润电子科技有限公司

    联系人：鑫科润

    电话：185210072361851602286718516022897

    地址：上海徐汇区中山南二路1007号

  • 50000

  • Rohm Semiconductor

  • TO-220FN

  • 17+

  • -

  • 全新原装现货

  • 2SK2095N
    2SK2095N

    2SK2095N

  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人：朱先生/李小姐

    电话：0755-2394163213723794312（微信同号）

    地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。

  • 865000

  • ROHM正品

  • TO-220

  • 最新批号

  • -

  • 一级代理.原装特价现货！

  • 2SK2095N
    2SK2095N

    2SK2095N

  • 深圳廊盛科技有限公司
    深圳廊盛科技有限公司

    联系人：李小姐

    电话：18229386512

    地址：上步工业区501栋410室

  • 20000

  • ST/意法

  • TO-220

  • 23+

  • -

  • 原装正品 欢迎咨询

  • 2SK2095N
    2SK2095N

    2SK2095N

  • 深圳市鸿昌盛电子科技有限公司
    深圳市鸿昌盛电子科技有限公司

    联系人：杨先生

    电话：0755-23603360832114658325800283223169

    地址：门市: 新华强广场2楼Q2B036室 | 公司: 深圳市福田区华强北路赛格广场58楼5813室

    资质：营业执照

  • 9800

  • T

  • TO

  • 2015+

  • -

  • 公司现货!只做原装!

  • 2SK2095N
    2SK2095N

    2SK2095N

  • 深圳廊盛科技有限公司
    深圳廊盛科技有限公司

    联系人：严艺浦

    电话：18682365538

    地址：上步工业区501栋410室

  • 20000

  • ST/意法

  • TO-220

  • 23+

  • -

  • 原装正品 欢迎咨询

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  • 功能描述
  • MOSFET N-CH 60V 10A TO-220FN
  • RoHS
  • 是
  • 类别
  • 分离式半导体产品 >> FET - 单
  • 系列
  • -
  • 标准包装
  • 1,000
  • 系列
  • MESH OVERLAY™
  • FET 型
  • MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点
  • 逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)
  • 200V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
  • 18A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
  • 180 毫欧 @ 9A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）
  • 4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs
  • 72nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds
  • 1560pF @ 25V
  • 功率 - 最大
  • 40W
  • 安装类型
  • 通孔
  • 封装/外壳
  • TO-220-3 整包
  • 供应商设备封装
  • TO-220FP
  • 包装
  • 管件
2SK2095N 技术参数
  • 2SK2094TL 功能描述:MOSFET N-CH 60V 2A DPAK 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:停产 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极，4V 驱动 漏源极电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:2A（Ta） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:350 毫欧 @ 1A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:400pF @ 10V 功率 - 最大值:10W 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 供应商器件封装:CPT3 标准包装:1 2SK208-Y(TE85L,F) 功能描述:MOSFET N-CH 50V S-MINI 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:有效 FET 类型:N 沟道 电压 - 击穿（V（BR）GSS）:- 漏源极电压（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）:1.2mA @ 10V 漏极电流（Id） - 最大值:- 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）:400mV @ 100nA 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:8.2pF @ 10V 电阻 - RDS（开）:- 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:S-Mini 功率 - 最大值:100mW 标准包装:1 2SK208-R(TE85L,F) 功能描述:MOSFET N-CH 50V S-MINI 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:有效 FET 类型:N 沟道 电压 - 击穿（V（BR）GSS）:- 漏源极电压（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）:300μA @ 10V 漏极电流（Id） - 最大值:- 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）:400mV @ 100nA 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:8.2pF @ 10V 电阻 - RDS（开）:- 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:S-Mini 功率 - 最大值:100mW 标准包装:1 2SK208-O(TE85L,F) 功能描述:MOSFET N-CH S-MINI FET 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:有效 FET 类型:N 沟道 电压 - 击穿（V（BR）GSS）:- 漏源极电压（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）:600μA @ 10V 漏极电流（Id） - 最大值:- 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）:400mV @ 100nA 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:8.2pF @ 10V 电阻 - RDS（开）:- 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SC-59 功率 - 最大值:100mW 标准包装:1 2SK208-GR(TE85L,F) 功能描述:MOSFET N-CH S-MINI FET 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:有效 FET 类型:N 沟道 电压 - 击穿（V（BR）GSS）:- 漏源极电压（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）:2.6mA @ 10V 漏极电流（Id） - 最大值:- 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）:400mV @ 100nA 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:8.2pF @ 10V 电阻 - RDS（开）:- 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SC-59 功率 - 最大值:100mW 标准包装:1 2SK2225-E 2SK2231(TE16L1,NQ) 2SK2231(TE16R1,NQ) 2SK2266(TE24R,Q) 2SK2299N 2SK2315TYTR-E 2SK2376(Q) 2SK23800QL 2SK2394-6-TB-E 2SK2394-7-TB-E 2SK2420 2SK2463T100 2SK2503TL 2SK2504TL 2SK2507(F) 2SK2544(F) 2SK2593GQL 2SK2593JQL
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