2SK2231(TE16R1,NQ)全国供应商【买卖IC网】2SK2231(TE16R1,NQ)资料|PDF Datasheet|价格

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型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

2SK2231(TE16R1,NQ)
深圳市鸿昌盛电子科技有限公司
深圳市鸿昌盛电子科技有限公司
联系人：杨先生
电话：0755-23603360832114658325800283223169
地址：门市: 新华强广场2楼Q2B036室 | 公司: 深圳市福田区华强北路赛格广场58楼5813室
资质：营业执照
5898
Toshiba Semiconductor and
2016+
-
公司现货！只做原装！

2SK2231(TE16R1,NQ)
深圳市科翼源电子有限公司
深圳市科翼源电子有限公司
联系人：朱小姐
电话：13510998172
地址：振华路100号深纺大厦C座2楼E16
资质：营业执照
25095
TOSHIBA/东芝
SOT-252
21+
-
原厂原装现货

2SK2231(TE16R1,NQ)
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-62962871629687318256329162961347
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室
资质：营业执照
0
原厂封装
10000
16+/17+
-
百分百原装正品假一赔十电话010-62...

2SK2231(TE16R1,NQ)
上海鑫科润电子科技有限公司
上海鑫科润电子科技有限公司
联系人：鑫科润
电话：185210072361851602286718516022897
地址：上海徐汇区中山南二路1007号
16000
Toshiba Semiconductor and
原厂封装
17+
-
全新原装现货

2SK2231(TE16R1,NQ)
深圳市新纳斯科技有限公司
深圳市新纳斯科技有限公司
联系人：王小姐
电话：0755-8363553213751165621
地址：深圳市福田区沙头街道新洲二街南溪新苑A606/深圳市福田区振华路高科德电子市场A3810室
资质：营业执照
2073
Toshiba Semiconductor and
17+
TO-252-3，D
-
原装正品，授权分销商现货库存，价优，货期...

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功能描述
MOSFET N-Ch 60V 5A Rdson 0.12 Ohm
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶体管极性
N-Channel
汲极/源极击穿电压
650 V
闸/源击穿电压
25 V
漏极连续电流
130 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）
0.014 Ohms
配置
Single
最大工作温度
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
Max247
封装
Tube

2SK2231(TE16R1,NQ) 技术参数

2SK2231(TE16L1,NQ) 功能描述:MOSFET N-CH 60V 5A PW-MOLD 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:停产 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极，4V 驱动漏源极电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:5A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:160 毫欧 @ 2.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:12nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:370pF @ 10V 功率 - 最大值:20W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 供应商器件封装:PW-MOLD 标准包装:1 2SK2225-E 功能描述:MOSFET N-CH 1500V 2A TO-3P 制造商:renesas electronics america 系列:- 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:1500V（1.5kV）电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:2A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:12 欧姆 @ 1A，15V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:984.7pF @ 30V 功率 - 最大值:50W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-3PFM，SC-93-3 供应商器件封装:TO-3PFM 标准包装:1 2SK2221-E 功能描述:MOSFET N-CH 200V 8A TO-3P 制造商:renesas electronics america 系列:- 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:200V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:8A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:- 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:600pF @ 10V 功率 - 最大值:100W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-3P-3，SC-65-3 供应商器件封装:TO-3P 标准包装:1 2SK221100L 功能描述:MOSFET N-CH 30V 1A MINI-PWR 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:1A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:600 毫欧 @ 500mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:87pF @ 10V 功率 - 最大值:1W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:迷你型P3-F1 标准包装:1 2SK2145-Y(TE85L,F) 功能描述:MOSFET 2N-CH JFET 50V SMV 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:2 个 N 沟道（双）电压 - 击穿（V（BR）GSS）:- 漏源极电压（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）:1.2mA @ 10V 漏极电流（Id） - 最大值:- 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）:200mV @ 100nA 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:13pF @ 10V 电阻 - RDS（开）:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-74A，SOT-753 供应商器件封装:SMV 功率 - 最大值:300mW 标准包装:1 2SK2503TL 2SK2504TL 2SK2507(F) 2SK2544(F) 2SK2593GQL 2SK2593JQL 2SK2624ALS 2SK2625ALS 2SK2632LS 2SK2701A 2SK2713 2SK2715TL 2SK2719(F) 2SK2731T146 2SK2740 2SK2744(F) 2SK275100L 2SK2803

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