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2SK3058-ZJ

配单专家企业名单
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  • 2SK3058-ZJ
    2SK3058-ZJ

    2SK3058-ZJ

  • 北京元坤伟业科技有限公司
    北京元坤伟业科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-6210493162106431621048916210479162104578

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室

    资质:营业执照

  • 20000

  • NEC

  • SOT263

  • 14+

  • -
  • 全新原装,进口现货,准时交货,量大优惠

  • 2SK3058-ZJ
    2SK3058-ZJ

    2SK3058-ZJ

  • 无锡固电半导体股份有限公司
    无锡固电半导体股份有限公司

    联系人:张小姐

    电话:15961889159

    地址:江苏省无锡市新区新梅路68号

    资质:营业执照

  • 6500

  • isc,iscsemi

  • TO-263

  • 2024+

  • -
  • 国产品牌,可替代原装

  • 2SK3058-ZJ
    2SK3058-ZJ

    2SK3058-ZJ

  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人:朱先生/李小姐

    电话:0755-2394163213723794312(微信同号)

    地址:广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。

  • 865000

  • NEC/RENESAS

  • TO-263

  • 最新批号

  • -
  • 一级代理.原装特价现货!

  • 2SK3058-ZJ
    2SK3058-ZJ

    2SK3058-ZJ

  • 深圳市一线半导体有限公司
    深圳市一线半导体有限公司

    联系人:谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐

    电话:0755-837892031333298700517727932378

    地址:深圳市福田区华强北华强花园B9F

  • 9600

  • TO-263

  • NEC

  • 17+

  • -
  • 原装正品。优势供应

  • 1/1页 40条/页 共9条 
  • 1
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  • 制造商
  • NEC
  • 制造商全称
  • NEC
  • 功能描述
  • SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE
2SK3058-ZJ 技术参数
  • 2SK3050TL 功能描述:MOSFET N-CH 600V 2A DPAK 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):600V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):2A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):5.5 欧姆 @ 1A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):25.6nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):280pF @ 10V 功率 - 最大值:20W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 供应商器件封装:CPT3 标准包装:1 2SK3048 功能描述:MOSFET N-CH 600V 3A TO-220D 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包装:散装 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):600V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):3A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):2.5 欧姆 @ 2A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):- 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):750pF @ 20V 功率 - 最大值:35W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商器件封装:TO-220D-A1 标准包装:500 2SK3047 功能描述:MOSFET N-CH 800V 2A TO-220D 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包装:散装 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):800V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):2A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):7 欧姆 @ 1A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):- 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):350pF @ 20V 功率 - 最大值:30W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商器件封装:TO-220D-A1 标准包装:500 2SK3046 功能描述:MOSFET N-CH 500V 7A TO-220D 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包装:散装 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):500V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):7A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):1 欧姆 @ 4A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):- 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1200pF @ 20V 功率 - 最大值:40W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商器件封装:TO-220D-A1 标准包装:500 2SK3045 功能描述:MOSFET N-CH 500V 2.5A TO-220D 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包装:散装 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):500V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):2.5A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):4 欧姆 @ 1.5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):- 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):330pF @ 20V 功率 - 最大值:30W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商器件封装:TO-220D-A1 标准包装:500 2SK3128(Q) 2SK3132(Q) 2SK3199 2SK326800L 2SK327700L 2SK3309(Q) 2SK3309(TE24L,Q) 2SK3313(Q) 2SK3318 2SK3320-BL(TE85L,F 2SK3320-GR(TE85L,F 2SK3320-Y(TE85L,F) 2SK3342(TE16L1,NQ) 2SK33720RL 2SK33720SL 2SK33720TL 2SK33720UL 2SK3372GRL
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