配单专家企业名单

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说明
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2SK3072-TB-E
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162106431621048916210479162104578
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
6000
SANYO
SOT23-3
15+
-
原装正品，假一罚十

2SK3072-TB-E
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
60000
SANYO
SOT-23
07+pbfree
-
全新原装现货

2SK3072-TB-E
深圳市亿联芯电子科技有限公司
深圳市亿联芯电子科技有限公司
联系人：吴经理
电话：18138401919
地址：深圳市福田区赛格科技园4栋中6楼6B01
69880
ON/安森美
SOT23
2021+
-
★★正规渠道★原厂正品最新货源现货供应★...

2SK3072-TB-E
深圳市科翼源电子有限公司
深圳市科翼源电子有限公司
联系人：朱小姐
电话：13510998172
地址：振华路100号深纺大厦C座2楼E16
资质：营业执照
24830
SANYO/三洋
SOT-23
21+
-
原厂原装现货

2SK3072-TB-E
深圳市柏新电子科技有限公司
深圳市柏新电子科技有限公司
联系人：林小姐//方先生
电话：0755-88377780010-58488628
地址：深圳市福田区深南中路2070号电子科技大厦C座27E2 , 北京办事处：北京海春路中发大厦60淀区知
3000
SANYO
SOT-23
2012+
-
只做原装正品

2SK3072-TB-E
深圳廊盛科技有限公司
深圳廊盛科技有限公司
联系人：李小姐
电话：18229386512
地址：上步工业区501栋410室
20000
SANYO/三洋
SOT-23
23+
-
原装正品欢迎咨询

2SK3072-TB-E
深圳廊盛科技有限公司
深圳廊盛科技有限公司
联系人：严艺浦
电话：18682365538
地址：上步工业区501栋410室
20000
SANYO/三洋
SOT-23
23+
-
原装正品欢迎咨询

2SK3072-TB-E
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：朱先生/李小姐
电话：0755-2394163213723794312（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。
865000
SANYO
SOT-23
最新批号
-
一级代理.原装特价现货！

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制造商
SANYO
功能描述
Nch 450V 0.03A 275 bo Tape & Reel
制造商
SANYO Semiconductor Co Ltd
功能描述
MOSFET N CH 450V 0.03A TO-253

2SK3072-TB-E 技术参数

2SK3068(TE24L,Q) 功能描述:MOSFET N-CH 500V 12A TO220SM 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:500V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:12A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:520 毫欧 @ 6A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:45nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2040pF @ 10V 功率 - 最大值:100W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 供应商器件封装:TO-220SM 标准包装:1,000 2SK3065T100 功能描述:MOSFET N-CH 60V 2A SOT-89 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:Not Recommended For New Designs FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极，2.5V 驱动漏源极电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:2A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:320 毫欧 @ 1A，4V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:160pF @ 10V 功率 - 最大值:500mW 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:MPT3 标准包装:1 2SK3064G0L 功能描述:MOSFET N-CH 30V .1A S-MINI-3P 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:100mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:50 欧姆 @ 10mA，5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:- 功率 - 最大值:150mW 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-85 供应商器件封装:S迷你型3-F2 标准包装:1 2SK306400L 功能描述:MOSFET N-CH 30V .1A S-MINI-3P 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:100mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:50 欧姆 @ 10mA，5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:- 功率 - 最大值:150mW 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-70，SOT-323 供应商器件封装:S迷你型3-G1 标准包装:1 2SK3050TL 功能描述:MOSFET N-CH 600V 2A DPAK 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:2A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:5.5 欧姆 @ 1A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:25.6nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:280pF @ 10V 功率 - 最大值:20W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 供应商器件封装:CPT3 标准包装:1 2SK327700L 2SK3309(Q) 2SK3309(TE24L,Q) 2SK3313(Q) 2SK3318 2SK3320-BL(TE85L,F 2SK3320-GR(TE85L,F 2SK3320-Y(TE85L,F) 2SK3342(TE16L1,NQ) 2SK33720RL 2SK33720SL 2SK33720TL 2SK33720UL 2SK3372GRL 2SK3372GSL 2SK3372GTL 2SK3372GUL 2SK3388(TE24L,Q)

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