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2SK3412-E

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  • 北京元坤伟业科技有限公司
    北京元坤伟业科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-6210493162106431621048916210479162104578

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室

    资质:营业执照

  • 4000

  • SANOY

  • TO-200

  • 0409+

  • -
  • 全新原装100%正品保证质量

  • 2SK3412-E
    2SK3412-E

    2SK3412-E

  • 深圳市柏新电子科技有限公司
    深圳市柏新电子科技有限公司

    联系人:林小姐//方先生

    电话:0755-88377780010-58488628

    地址:深圳市福田区深南中路2070号电子科技大厦C座27E2 , 北京办事处:北京海春路中发大厦60淀区知

  • 52

  • SANOY

  • TO-200

  • 2012+

  • -
  • 只做原装正品

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2SK3412-E 技术参数
  • 2SK3403(Q) 功能描述:MOSFET N-CH 450V 13A TO220FL 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:散装 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):450V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):13A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):400 毫欧 @ 6A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):34nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1600pF @ 25V 功率 - 最大值:100W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3(SMT)标片 供应商器件封装:TO-220FL 标准包装:50 2SK3388(TE24L,Q) 功能描述:MOSFET N-CH 250V 20A SC-97 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):250V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):20A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):105 毫欧 @ 10A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):100nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):4000pF @ 10V 功率 - 最大值:125W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-97 供应商器件封装:TFP(9.2x10.7) 标准包装:1,500 2SK3372GUL 功能描述:JFET N-CH 2MA 100MW SSSMINI-3 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 FET 类型:N 沟道 电压 - 击穿(V(BR)GSS):- 漏源极电压(Vdss):20V 不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss):107μA @ 2V 漏极电流(Id) - 最大值:2mA 不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关):- 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):- 电阻 - RDS(开):- 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOT-723 供应商器件封装:SSS迷你型3-F2 功率 - 最大值:100mW 标准包装:1 2SK3372GTL 功能描述:JFET N-CH 2MA 100MW SSSMINI-3 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 FET 类型:N 沟道 电压 - 击穿(V(BR)GSS):- 漏源极电压(Vdss):20V 不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss):107μA @ 2V 漏极电流(Id) - 最大值:2mA 不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关):- 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):- 电阻 - RDS(开):- 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOT-723 供应商器件封装:SSS迷你型3-F2 功率 - 最大值:100mW 标准包装:1 2SK3372GSL 功能描述:JFET N-CH 2MA 100MW SSSMINI-3 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 FET 类型:N 沟道 电压 - 击穿(V(BR)GSS):- 漏源极电压(Vdss):20V 不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss):107μA @ 2V 漏极电流(Id) - 最大值:2mA 不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关):- 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):- 电阻 - RDS(开):- 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOT-723 供应商器件封装:SSS迷你型3-F2 功率 - 最大值:100mW 标准包装:1 2SK3480-AZ 2SK3481-AZ 2SK3482-AZ 2SK3483-AZ 2SK3484-AZ 2SK353900L 2SK3539G0L 2SK3541T2L 2SK3546G0L 2SK3546J0L 2SK354700L 2SK3547G0L 2SK3557-6-TB-E 2SK3557-7-TB-E 2SK3564(STA4,Q,M) 2SK3565(Q,M) 2SK3566(STA4,Q,M) 2SK3662(F)
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